공통 게이트 회로로 구성된 MESFET 전치왜곡 선형화기 (A Predistortion Linearizer which is composed of common-gate MESFET circuits)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자학회
· 수록지 정보 : 전기전자학회논문지 / 4권 / 2호 / 241 ~ 248페이지
· 저자명 : 정성일, 김한석, 강정진, 이종악

초록

채널간의 상호 변조에 의한 왜곡성분이 주로 전력 증폭기의 비선형성에 의해 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력 증폭기를 필요로 하게 된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치 왜곡 선형화기가 추가된 새로운 형태의 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 30dBm A급 전력 증폭기에 연결하여 시뮬레이션하였으며 실험 결과를 통하여 1dB 압축점은 2dBm, 상호변조왜곡은 12.5dBc정도 개선됨을 보였다.

영어초록

A linear power amplifier is particular emphasized on the CDMA system using a linear modulation scheme, because intermodulation distortion which cause adjacent channel interference and co channel interference is mostly generated in a nonlinear power amplifier. In this paper, a new type of linearization technique proposed. It is presented that balanced MESFET predistortion linearizer added. Experimental result are present for Korea PCS(Personal Communication Service) frequency band. The implemented linearizer is applied to a 30dBm class A power amplifier for simulation Performance. The predistortion linearizer improves the 1dB compression point of the HPA about 2dBm, and intermoudulation distortion about 12.5dBc.

참고자료

· 없음