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0.1 m Metamorphic HEMT를 이용한고이득 D-Band MMIC 2단 구동증폭기 개발 (Development of a Two-Stage High Gain D-Band MMIC Drive Amplifier Using 0.1 µm Metamorphic HEMT Technology)

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최초등록일 2025.04.09 최종저작일 2008.12
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0.1 m Metamorphic HEMT를 이용한고이득 D-Band MMIC 2단 구동증폭기 개발
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    서지정보

    · 발행기관 : 대한전자공학회
    · 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 45권 / 12호 / 41 ~ 46페이지
    · 저자명 : 이복형, 이진구

    초록

    본 논문에서는 0.1 µm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT기술을 기반으로 하여 D-Band(110 - 140 GHz) 대역에서 동작하는 MMIC 2단 구동 증폭기를 제작하였다. 제작된 구동 증폭기는 밀리미터파 대역인 110 GHz에서 10 dB 이상의 우수한 S21 이득 특성을 보였으며, 이때 반사 특성 또한 S11 -3.5 dB와 S22 -6.5 dB로 양호한 특성을 얻었다. 이러한 높은 성능의 MMIC 구동증폭기의 특성은 주로 MHEMT성능에 기인한다. 본 논문에서 적용한 0.1 µm MHEMT는 760 mS/mm의 전달컨덕턴스 특성과 195 GHz의 차단주파수 391 GHz의 최대공진 주파수 특성을 갖는다.

    영어초록

    We report a high gain D-band(110 - 140 GHz) MMIC drive amplifier based on 0.1 µm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT technology. The amplifier shows an excellent S21 gain characteristic greater than 10 dB in a millimeterwave frequency of 110 GHz, Also the amplifier has good reflection characteristics of a S11 of -3.5 dB and a S22 of -6.5 dB at 110 GHz, respectively. The high performances of the MMIC drive amplifier is mainly attributed to the characteristics of the MHEMTs exhibiting a maximum transconductance of 760 mS/mm, a current gain cut-off frequency of 195 GHz and a maximum oscillation frequency of 391 GHz.

    참고자료

    · 없음
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