가속기 백색광 X-Ray Topography를 이용한 CVD 단결정 다이아몬드 내부 전위 분석 (Dislocation Analysis of CVD Single Crystal Diamond Using Synchrotron White Beam X-Ray Topography)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 32권 / 3호 / 192 ~ 195페이지
· 저자명 : 유영재, 정성민, 배시영

초록

화학기상증착장치(Chemical vapor deposition, CVD)에 의한 단결정 다이아몬드는 차세대 파워디바이스로 활용될 수 있다. 기본적으로, 고전력 소자로의 응용을 위해서는 낮은 전위밀도의 단결정 제어가 필요하다. 그러나, CVD 성장중 발생하는 소성변형 및 격자 스트레인은 전위밀도를 불가피하게 증가시킨다. 그러므로, 고품질의 단결정 CVD 다이아몬드를 성장하기 위해서는 이에 대한 철처한 분석이 필요하다. 본 논문에서는 가속기 백색광 X-ray 토포그래피를 이용하여 CVD 다이아몬드의 전위 특성을 분석한 내용을 보고한다. 준비된 단결정 CVD 다이아몬드의 전체 표면에서 많은 칼날전위 및 5개의 혼합전위가 판별되었다. 본 샘플의 전위밀도는 7.28 × 106 cm-2 로 측정되었다.

영어초록

Single-crystal diamond obtained by chemical vapor deposition (CVD) exhibits great potential for use in next-generation power devices. Low defect density is required for the use of such power devices in high-power operations; however, plastic deformation and lattice strain increase the dislocation density during diamond growth byCVD. Therefore, characterization of the dislocations in CVD diamond is essential to ensure the growth of high-quality diamond. In this work, we analyze the characteristics of the dislocations in CVD diamond through synchrotron white beam X-ray topography. In estimate, many threading edge dislocations and five mixed dislocations were identified over the whole surface.

참고자료

· 없음