PVT 방법에 의한 링 모양의 SiC 단결정 성장 (Growth of ring-shaped SiC single crystal via physical vapor transport method)

서지정보

· 발행기관 : 한국결정성장학회
· 수록지 정보 : 한국결정성장학회지 / 32권 / 1호 / 1 ~ 6페이지
· 저자명 : 김우연, 제태완, 나준혁, 최수민, 이하린, 장희연, 박미선, 장연숙, 정은진, 강진기, 이원재

초록

본 연구에서는 PVT(Physical Vapor Transport) 방법을 이용하여 반도체 식각 공정용 소재로 사용되는 링 모양의SiC(Silicon carbide) 단결정을 제조하였다. 흑연 도가니 내부에 원기둥 형태의 흑연 구조물을 배치하여 PVT법에 의한 링 모양의 SiC 단결정을 성장시켰다. 단결정 기판을 시드로 사용하여 성장한 경우 크랙이 없는 우수한 특성의 포커스링을 얻을수 있었다. 단결정 포커스링과 CVD 포커스링의 에칭 특성을 살펴본 결과 단결정 포커스링의 에칭속도가 줄어들었고, 단결정 포커스링이 우수한 내플라즈마성을 보여준다고 할 수 있다.

영어초록

In this research, a ring-shaped silicon carbide (SiC) single crystal manufactured using the PVT (Physical VaporTransport) method was proposed to be applied to a SiC focus ring in semiconductor etching equipment. A cylindricalgraphite structure was placed inside the graphite crucible to grow a ring-shaped SiC single crystal by the PVT method. SiCsingle crystal ring without crack was successfully obtained in case of using SiC single crystal wafer as a seed. A plasmaetching process was performed to compare plasma resistance between the CVD-SiC focus ring and the PVT-SiC focus ring.
The etch rate of ring materials in PVT-single crystal SiC focus ring was definitely lower than that of CVD-SiC focus ring,indicating better plasma resistance of PVT-SiC focus ring.

참고자료

· 없음