대향 타겟식 스퍼터링 방법에 의해 성막된 Ga-doped ZnO 박막의 전기 광학적 성질 (The Electrical and Optical Properties of Ga-doped ZnO Films Prepared by Using Facing Target Sputtering System)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 26권 / 5호 / 385 ~ 390페이지
· 저자명 : 최명규, 배강, 서성보, 김동영, 김화민

초록

본 실험에서는 대향 타겟식 스퍼터링(facing target sputtering) 방법을 사용하여 Ga가 도핑된 ZnO (GZO), , x=3, 5, 7, 9, 박막들을 100 nm에서 500 nm 유리(soda lime glass) 기판 위에 제작되었다. 이들 박막들의 전기적 및 광학적 성질들이 Ga 도핑 량의 함수로 조사되었으며, x= 7wt.% 일 때 가장 우수한 전기 전도성을 나타내었다. 이 박막의 비저항은 임이 확인되었을 뿐 만 아니라 광투과도 또한 가시광 영역에서 평균 83% 이상의 우수한 광학적 특성을 갖는 것도 확인되었다. 특히, Ga가 7wt.% 도핑된 GZO 박막은 박막 증착 시 기판 온도가 증가함에 따라 비저항이 크게 개선되는 것이 확인되었으며, 3000C의 기판 온도에서 제작된 박막에서 의 가장 우수한 비저항을 얻을 수 있었으며, 이는 거의 ITO와 IZO에 비교될 수 있는 수준임이 확인되었다. 이와 같은 GZO 박막들의 비저항이 기판온도에 따라 현저하게 감소하는 것은 기판온돠 증가함에 따라 TZO 박막의 결정립 크기가 증가할 뿐만 아니라 박막 밀도 또한 증가함으로써 TZO 박막의 이동도가 증가했기 때문인 것으로 설명되었다.

영어초록

(Ga2O3)x(ZnO)100-x (GZO) films were prepared at room temperature by using a facing target sputtering (FTS) system and their electrical resistivites was investigated as a function of the Ga2O3content. The GZO film with an atomic ratio of Ga2O3 of x= 7 wt.%, shows the lowest resistivity of  ×  ∙. The GZO films were also prepared at various substrate temperatures from room temperature to 300℃, and their electrical resistivity was found to be improved as the substrate temperature was increased, A very low resistivity of  ×  ∙ that is almost comparable with that of ITO film was obtained in the GZO films prepared at the substrate temperature of 300℃ by using the FTS.

참고자료

· 없음