열자극 전류 방법을 이용한 비정질 In-Ga-Zn-O 박막의 갭 분포 결정 (Determinations of the Gap Distributions of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin by Films Using Thermostimulated Current Methods)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 63권 / 9호 / 1038 ~ 1042페이지
· 저자명 : 이광배

초록

본 논문에서는 열자극 전류 (TSC)와 약한 세기의 광전류를 동시에측정하는 방법을 사용하여 a-IGZO 박막의 전도띠단 Ec 이하 -0.3 eV 부터 페르미 준위 까지의 주개형 상태 밀도 (DOS)를 구하였다. a-IGZO 박막의 주개형 DOS는 -0.6 eV 근처에서 피크를 보이는 넓은 가우스 분포형태로 나타났다. 두 개의 가우스 함수 fitting을 사용하여 22.3 × 1019 cm−3eV−1 피크 값의 Ec 이하 -0.65 eV의 깊은준위와 1.8 × 1018 cm−3eV−1 피크 값의 -0.32eV의 얕은 준위의 가우스 분포로 형성되는 것으로 나타났다. 그리고 TSC 방법으로 구한 주개형 DOS의 기원에 대하여 논의하였다.

영어초록

The density of states (DOS) of amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin films was determined using simultaneous measurements of the thermostimulated current (TSC) and the low-intensity photocurrent. The donor-like DOS, which ranged from -0.3 eV below the conduction band minimum (Ec) to the Fermi level, showed broad Gaussian distributions centered at peak energies of around -0.6 eV. By fitting with two Gaussian functions, in the DOS of a-IGZO thin films, we found a deep level centered at -0.65 eV with a peak value of 2.3 × 1019 cm−3eV−1 and a shallow level centered at -0.32 eV with a peak value of 1.8 × 1018 cm−3eV−1. The origins of the donor-like DOS peaks obtained from such a TSC method were also discussed.

참고자료

· 없음