LTE 전력증폭기를 위한 두 개의 단일 인덕터 이중 출력 DC-DC 컨버터를 이용한 4-Level Dynamic Supply Switching 변조기 (Four-Level Dynamic Supply Switching Modulator Using Two Single-Inductor Dual-Output DC-DC Converters for LTE Power Amplifier)

서지정보

· 발행기관 : 한국전자파학회
· 수록지 정보 : 한국전자파학회 논문지 / 31권 / 12호 / 1069 ~ 1076페이지
· 저자명 : 오성재, 오한식, 양영구

초록

본 논문에서는 CMOS 전력증폭기 (PA)의 효율 개선을 위한 두 개의 단일 인덕터 이중 출력 DC-DC 컨버터를 사용하는4-level Dynamic Supply Switching (DSS) 변조기가 제시되어 있다. 제안하는 DSS 변조기는 두 개의 단일 인덕터 이중 출력DC-DC 컨버터와 서플라이 스위칭 회로로 구성된다. 두 개의 단일 인덕터 이중 출력 DC-DC 컨버터는 4개의 DC 전압을생성한다. 서플라이 스위칭 회로는 변조된 신호의 envelope에 따라 4개의 전압을 동적으로 스위칭한다. 제안된 4-level DSS 전력증폭기는 1.75 GHz 대역에서 동작하고, 0.18 μm CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 5 MHz의 대역폭을 가진LTE 16-QAM 신호를 인가하였을 때, DSS 전력증폭기의 측정 효율은 평균 출력 전력 22 dBm에서 38.9%의 PAE가 측정되었고, 이때의 인접 채널 누설 전력비(ACLR)는 −30.0 dBc를 만족한다.

영어초록

In this paper, a four-level dynamic supply switching (DSS) modulator using two single inductor dual output DC-DC converters for improving the efficiency of CMOS power amplifiers (PAs) is presented. The proposed DSS modulator includes two single-inductor dual-output DC-DC converters and a supply switching circuit. Two single-inductor dual-output DC-DC converters generate four DC voltages. The supply switching circuit dynamically switches the four voltages according to the envelope of the modulated signal. The proposed four-level DSS PA operates in the 1.75 GHz band and is fabricated using the 0.18 μm CMOS process. For the LTE 16-QAM signal with a bandwidth of 5 MHz, the measured PAE of the DSS PA is 38.9 % at an average output power of 22 dBm, thereby satisfying the adjacent channel leakage power ratio (ACLR) of −30.0 dBc.

참고자료

· 없음