Cobalt Interlayer 와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 40권 / 12호 / 1 ~ 9페이지
· 저자명 : 吳淳榮, 윤장근, 황빈봉, 왕진석, 이희덕, 朴英鎬, 池熺奐

초록

본 논문에서는 Cobalt interlayer와 TiN capping을 적용한 Ni-Silicide 구조를 제안하여 100 nm CMOS 소자에 적용하고 소자 특성 연구를 하였다. Ni-Silicide의 취약한 열 안정성을 개선하기 위해 열 안정성이 우수한 Cobalt interlayer를 이용하여 silicide의 열화됨을 개선하였고, 또한 silicide 계면의 uniformity를 향상하기 위해 TiN capping을 동시에 적용하였다. 100 nm CMOS 소자에 제안한 Co/Ni/ TiN 구조를 적용하여 700℃, 30분에서의 열처리 시에도 silicide의 낮은 면저항과 낮은 접합 누설 전류가 유지되었으며 100 nm 이하 소자의 특성 변화도 거의 없음을 확인하였다. 따라서 제안한 Co/Ni/TiN 구조가 NiSi의 열 안정성을 개선시킴으로써 100 nm 이하의 Nano CMOS 소자에 매우 적합한 Ni-Silicide 특성을 확보하였다.

참고자료

· 없음