3,000 V급 초접합 필드링을 갖는 초접합 IGBT 제작에 관한 연구 (The Fabrication of Super Junction IGBT with 3,000 V Class Super Junction Field Rings)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 28권 / 9호 / 551 ~ 554페이지
· 저자명 : 강이구

초록

본 논문에서는 대용량 전력산업에 스위치로 사용되는 3,000 V급 초접합 NPT IGBT 소자에 적용되는 초접합 필드링을 설계하여 전기적인 특성을 분석하였다. 분석한 결과 기존의 범용적인 필드링의 개수보다 3개 적은 6개 필드링으로 3,300 V의 항복전압 특성을 가져올 수 있었으며, 필드링이 줄어들었기 때문에 효율적인 칩 사이즈를 가져올 수 있었다. 아울러 초접합 필드링이 적용된 초접합 IGBT를 제작함과 동시에 패키지까지 수행하여 실제 측정한 결과 설계·분석한 결과와 거의 일치되는 3,300 V의 항복전압을 나타내었다. 본 연구에서 제작된 초접합 IGBT 소자는 현재 대용량 스위치에 충분히 활용할 수 있어, 공정이 복잡하여 제작하기 어려운 사이리스터 계열의 소자를 대체함과 동시에 단점으로 지적되는 열 특성에 대해서도 충분히 극복할 수 있을 것으로 판단된다.

영어초록

This paper was analyzed electrical characteristics of super junction IGBT with super junction field rings.
As a result of super junction IGBT with super junction field rings, we obtained 3,300 V breakdown voltage and good thermal characteristics. we obtained shrinked chip size because field ring was decreased than field ring for conventional IGBT, too. And we fabricated super junction IGBT with super junction field rings. As a result of measuring fabricated chip, we obtained 3,300 V breakdown voltage. The fabricated devices were replaced thyristos using high voltage conversion, sufficiently.

참고자료

· 없음