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2단계 스퍼터링으로 형성시킨 강유전 박막의누설전류 개선

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최초등록일 2025.03.13 최종저작일 2006.03
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2단계 스퍼터링으로 형성시킨 강유전 박막의누설전류 개선
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    서지정보

    · 발행기관 : 한국마이크로전자및패키징학회
    · 수록지 정보 : 마이크로전자 및 패키징학회지 / 13권 / 1호 / 17 ~ 22페이지
    · 저자명 : 마재평, 신용인

    초록

    2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두께를 조절하여 누설전류를 10-7A/㎠ order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 10-8A/㎠ order까지 개선되었다.

    참고자료

    · 없음
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