GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 (Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 18권 / 4호 / 266 ~ 271페이지
· 저자명 : 김광웅, 조남기, 송진동, 이정일, 박정호, 이유종, 최원준

초록

Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/cm2, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/cm2, 발진 파장은 1320 nm이다.

영어초록

We have investigated the lasing characteristics of GaAs-based 1300 nm wavelength region InAs Quantum Dot Laser Diode grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy. Under a pulsed and CW operation, we observed the state switching of lasing wavelength from ground state (1302 nm) to excited state (1206 nm) due to the gain saturation of ground state. Under a pulsed operation, Jth=92 A/cm2, λL=1311 nm and under a CW operation, Jth=247 A/cm2, λL=1320 nm.

참고자료

· 없음