"분자선 에피택시"의 검색결과 입니다.

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반도체 소자 HVPE 장비 vpe dc/rf magnetron 스퍼터링 cmos 공정 epitaxy 공정 EPMA mass

EasyAI “분자선 에피택시” 관련 자료

+VLSI공정 5장 문제정리등록일 2018.06.05 | 총 9,655자 | 10페이지 | 4,000원
+PVD의 종류와 특성, 응용분야등록일 2015.01.08 | 총 10,255자 | 21페이지 | 2,500원

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"분자선 에피택시" 검색결과 1-20 / 49건

분자선에피택시에 의해 성장한 ZnO 나노결정 박막에 완충층 두께와활성층 성장 온도가 미치는 효과 (Effects of Buffer-layer Thickness and Active-layer Growth Temperature on ZnO Nanocrystalline Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy)

ZnO thin films were deposited on a Si (100) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy(PA-MBE). Growth of ZnO thin films on a Si substrate is..

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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분자선 에피택시를 이용하여 GaN 나노로드를 성장시 구조 및 광학적인 특성에 미치는 N2의 양의 효과 (Effect of N2 flow rate on growth and photoluminescence properties of GaN nanorods grown by using molecular beam epitaxy)

rf 플라즈마 소스가 장착된 분자선 에피택시 장비를 이용하여 Si(111) 기판위에 GaN 나노로드를 성장할 때, N2의 흐름양을 조절하여 나노로드의 구조 및 광학적인 특성

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.07 | 수정일 2025.06.10

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분자선에피택시성장법으로 성장한 AlAS/GaAs 에피택셜층의 특성

한국재료학회 노동완, 김경옥, 이해권

논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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저온 분자선 에피택시법을 이용한 GaMnAs 자성반도체 성장 및 특성 연구

한국재료학회 박진범, 고동완, 박용주, 오형택, 신춘교, 김영미, 박일우, 변동진, 이정일

논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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Indium Interruption Growth법으로 성장한 InAs 양자점의 광학적 특성 (Optical Properties of InAs Quantum Dots Grown by Using Indium Interruption Growth Technique)

분자선 에피택시 (molecular beam epitaxy: MBE)를 이용하여 GaAs (100) 기판에 Indium interruption growth법으로 성장한 InAs

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.27 | 수정일 2025.07.04

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AlAsxSb1-x 단계 성분 변화 완충층을 이용한 Si (100)기판 상 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물 형성 (Formation of Al0.3Ga0.7As/GaAs Multiple Quantum Wells on Silicon Substrate with AlAsxSb1-x Step-graded Buffer)

실리콘(Silicon, Si) 기판과 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells, MQWs) 간의 격자 부정합 해소를 위해 AlAsxSb1-x 층이 단계 성분 변화 완충층(step-graded buffer, SGB)으로 이..

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 (Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode)

한국진공학회 김광웅, 조남기, 송진동, 이정일, 박정호, 이유종, 최원준

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.06

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판매자 표지

서울대학교 일반대학원 물리학과 연구계획서

근처에서 최적화된 초전도성 연구, 전기촉매적 전체 물 분해를 위한 Cu2O/환원 그래핀 산화물 나노복합체 연구, 분자선 에피택시로 성장한 N- 및 Al-극성 동종에피택셜 AlN ... Nb3X8(X = Cl, I)의 포논 역학에 대한 테라헤르츠 분광학 및 DFT 분석 연구, 복잡한 상호주의 네트워크의 안정성과 선택적 소멸 연구, X선 자유 전자 레이저를 이용

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.19

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As과 Ga 빔 조사에 의해 세척된 Si(100) 기판 위에 GaAs 에피층 성장과 RHEED 패턴 (GaAs Epilayer Growth on Si(100) Substrates Cleaned by As/Ga Beam and Its RHEED Patterns)

한국표면공학회 임광국, 김민수, 임재영

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.17 | 수정일 2025.05.22

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RF 플라즈마에 의해 생성된 산소 플라즈마의 발광 스펙트럼 (Optical Emission Spectra of Oxygen Plasma Produced by Radio-Frequency Plasma)

한국진공학회 김도엽, 김민수, 김태훈, 김군식, 최현영, 조민영, 전수민, 박성동, 김진하, 김은도, 황도원, 임재영

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.03 | 수정일 2025.03.06

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GaAs 기판 위에 성장한 In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As 다중양자우물의 광학적 특성에 대한 In0.5Al0.5As 버퍼층 성장온도의 영향 (Growth Temperature Effects of In0.5Al0.5As Buffer Layer on the Optical Properties of In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As Multiple Quantum Wells Grown on GaAs)

In0.5Al0.5As 버퍼층(buffer layer)의 성장온도 변화에 따른 In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As 다중양자우물(multiple quantum wells: MQWs)의 광학적 특성을 photoluminescence (PL)와 time-resol..

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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ZnSe/ZnTe 초격자 버퍼층을 이용한 GaSb 박막성장 (GaSb Thin Films Grown on ZnSe/ZnTe Superlattice Buffer Layers)

GaAs (001) 기판 위에 ZnSe/ZnTe 초격자 버퍼층을 이용하여 분자선에피택시법으로 성장된 GaSb 박막의 성장에 관해 연구하였다. GaSb 성장시 ZnSe/ZnTe 초 ... 격자 버퍼층의 영향으로 초기에 2차원 성장모드가관찰되었다. 또한 원자간력 현미경과 X선 회절법 측정을 통하여 양호한결정성을 갖는 GaSb박막이 성장되었음을 확인하였으며, GaSb

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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MBE로 성장된 In0.5Ga0.5As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 수소화 처리가 광학적 특성에 미치는 특이영향 (Anomalous Effect of Hydrogenation on the Optical CharacterizationIn0.5Ga0.5As Quantum Dot Infrared Photodetectors)

분자선 에피택시 (MBE)법으로 성장된 양자점 원적외선 수광소자(Quantum Dot Infrared Photodetector: QDIP)구조의 In0.5Ga0.5As/GaAs

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.07 | 수정일 2025.07.10

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VLSI공정 5장 문제정리

하는 것. 실리콘 공정에서 사용되는 에피택시의 가장 흔한 형태.에피택셜 성장은 비교적 높은 온도가 필요하다.분자선 에피택시란? (MBE) -Molecular beam epitaxy.초고 ... path : 기체분자나 금속 내의 자유전자가 다른 입자와 충돌하지 않고 움직이는 평균적인 거리분자선 에피택시는 화학적 조성과 도핑 프로파일을 정밀하게 조절할 수 있는 장점이 있 ... 진공 상태(에서 고정된 기판에 원자 또는 분자선을 충돌 시켜 에피층을 성장시키는 공정초고진공 상태를 유지하는 이유 : mean free path를 길게 하기 위해Mean free

리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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반도체 소자 및 반도체 집적 회로

에피택시(Liquid Phase Epitaxy, LPE), 기상 에피택시(Vapor Phase Epitaxy, VPE)와 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy ... 이러한 도체들은 전자회로 기판(board) 위에서 전기적 연결선(wire)이나 도전 경로(conduction path)를 제작하는 데 사용된다. 도체 내부의 전자(electron ... , MBE)로 분류된다. 또한 웨이퍼의 기판 재료와 동일한 화학 조성을 지닌 에피층을 형성시키는 동종 에피택시(homo-epitaxy)와 웨이퍼 기판 재료와는 다른 화학 조성의 에피층

리포트 | 45페이지 | 8,000원 | 등록일 2017.12.31

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epitaxy 공정

- 성장 방법은 기상 에피택시(VPE : vapor phase epitaxy), 액상 에피택시(LPE : liguid phase epitaxy), 분자선 에피택시(MBE ... 성장에도 많이 사용된다. LPE는 Ⅲ-Ⅴ 족이나 Ⅱ-Ⅵ 족 등 화합물 반도체 에피택시 층 성장에 사용되며, 분자선 에피택시(MBE : molecular beam epitaxy ... epitaxy), 분자빔 에피택시(MBE : molecular beam epitaxy) 등에 관한 기본 원리는 다음과 같다.3.1 기상 에피택시(VPE)갈륨비소의 기상 에피택시 성장

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.21

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LPE, VPE, MBE 장비

의 현상에 대해서도 연구가 진행되어 분자선 에피택시라는 결정성장법이 개발되었다.한편 금속 혹은 반도체 시료를 진공 중에서 증발시켜 박막을 형성시키는 진공증착법은 오래전부터 있 ... 선 회절장치, AES, SIMS 장치 등을 설치하여 분자선 에피택시의 장점을 충분히 활용할 수 있게끔 되었다. ... 도)분자 빔 에피택시(MBE:Molecular Beam Epitaxy)MBE는 원자 분해능의 두께를 갖는 GaAs 헤테로 에피택시의 증착에 사용되는 중요한 방법 중 하나이다. 도핑

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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분자빔 에피탁시 (MBE)의 원리 개요 를 담은 논문형식 레포트

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)초록분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)는 반도체, 금속, 절연체 등 ... 의 epitaxtial layer 성장기술로 열에너지를 갖는 구성원소의 분자선과 초고진공(10-10 ? 10-11Torr)내에서 임의의 반응온도(400~ 800℃)로 유지된 substrate ... 에피탁시(vapor phase epitaxy, VPE), 분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)등이 있으며, 최근에는 서로 결합된 방법도 많이 사용

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.18

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PVD의 종류와 특성, 응용분야

source위에 원자의 농도가 크므로 와류 또는 discharge가 심하다.3)분자선 에피택시법(MBE)ㆍ초기에III-V화합물 반도체의 단결정 박막의 제작법으로서 발달ㆍ증발원 ... 기판 ＞ 870~900K성장속도 2 ~ 3Å/s아래 그림은 GaAsxP1-x를 만들 경우의 분자선 에피택시 장치의 예이다.Ⅱ. 스퍼터링(sputtering)이란?스퍼터링이란 ... 게 증가한다. 이는 물질의 증착 속도가 온도에 의해 제어 될 수 있음을 의미한다.⑵ 증발속도Hertz-Knudsen 방정식Knudsen은 evaporant의 표면에 충돌하는 분자

리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29

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그래핀(Graphene)에 관한 고찰 리포트

의 정의흑연을 뜻하는 ‘그래파이트(graphite)’와 탄소 이중결합을 가진 분자를 뜻하는 접미사 ‘-ene-'를 합하여 이름 지어진 그래핀(graphene)은 두께가 0.35 ... 기술을 사용하여 제조할 수 있다. 최근 주로 연구되고 있는 방법으로는 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 탄소 나노튜브 분산법, 에피택시 ... 성장법(Epitaxial Growth), 유기 합성법 등을 들 수 있다.4. 그래핀의 특성(1) 전자적 특성1-1. 밴드 구조Graphene의 밴드 구조는 일반적인 포물선 모양

리포트 | 10페이지 | 2,700원 | 등록일 2016.05.24

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