고효율 전력증폭기 설계를 위한 새로운 고조파 조절 회로 기반의 입출력 정합 회로 (In/Output Matching Network Based on Novel Harmonic Control Circuit for Design of High-Efficiency Power Amplifier)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - TC / 46권 / 2호 / 141 ~ 146페이지
· 저자명 : 최재원, 서철헌

초록

본 논문에서는 새로운 고조파 조절 회로를 이용한 Si LDMOSFET 고효율 전력증폭기를 구현하였다. 본 고조파 조절 회로는 2차, 3차 고조파 성분에 대하여 단락 임피던스를 갖으며, 입출력 정합 회로를 설계하기 위하여 사용된다. 제안된 고조파 조절 회로의 효율 개선 효과가 class-F 혹은 inverse class-F 고조파 조절 회로 보다 우수하다는 것을 증명하였다. 또한, 고조파 조절 회로가 출력 정합 회로뿐만 아니라, 입력 정합 회로에도 사용될 경우, 제안된 전력증폭기의 효율은 더욱 더 개선된다. 제안된 전력증폭기의 최대 전력 효율 (PAE)의 측정값은 1.71 GHz의 주파수 대역에서 82.68 %이다. Class-F와 inverse class-F 전력증폭기와 비교할 때, 제안된 전력증폭기의 최대 PAE 측정값은 5.08 ～ 9.91 % 향상된다

영어초록

In this paper, a novel harmonic control circuit has been proposed for the design of high-efficiency power amplifier with Si LDMOSFET. The proposed harmonic control circuit having the short impedances for the second- and third-harmonic components has been used to design the in/output matching network. The efficiency enhancement effect of the proposed harmonic control circuit is superior to the class-F or inverse class-F harmonic control circuit. Also, when the proposed harmonic control circuit has been adapted to the input matching network as well as the output matching network, the ef- ficiency enhancement effect of the proposed power amplifier has increased all the more. The measured maximum power- added efficiency (PAE) of the proposed power amplifier is 82.68 % at 1.71 GHz band. Compared with class-F and inverse class-F amplifiers, the measured maximum PAE of the proposed power amplifier has increased in 5.08 ～ 9.91 %.

참고자료

· 없음