P-doped SnO2 투명 전도성 박막의 특성평가

서지정보

· 발행기관 : 대한시과학회
· 수록지 정보 : 대한시과학회지 / 16권 / 4호
· 저자명 : 정주현, 두하영

초록

목 적: 본 연구는 SnO2를 모체로 하는 투명전도성 박막을 제조하기 위하여, 가용성 염인 Sn-Chloride와 H3PO4를 출발물질로 사용하였으며, 졸-겔법으로 박막을 제조하여 특성평가를 연구함이다. 방 법: Spin coating기를 이용하여 코팅용액을 기판에 떨어뜨린 후 공기분위기에서 2000 rpm으로 10초간 기판을 회전하여 박막을 도포하며, 500℃로 10분간 열처리하여 P-doped SnO2 박막을 제조하였다. 결 과: 박막의 표면에는 코팅 횟수가 5회, 10회의 경우에는 기공이나 크랙이 나타나지 않았으나 15회 및 20회로 증가함에 따라 미세한 기공들이 관찰되었다. 가시영역에서의 투과율은 5회 및 10회 코팅한 박막의 경우 약 85~90%을 나타내고 있으나, 코팅횟수가 15회 및 20회로 증가함에 따라 박막의 투과율은 80% 이하로 급격히 감소하였다. 4-probe법을 이용한 전기저항은 박막의 코팅횟수가 10회일 경우에 2.7×10-4Ω·cm-1이었으며, 코팅회수가 15회 및 20회로 증가함에 따라 9.8×10-3Ω?cm-1 및 8.3×10-2Ω·cm-1으로 박막의 저항값은 급격히 증가하였다. 결 론: 10회 코팅한 박막의 가시영역에서의 투과율은 85~90%로 매우 높았으며, 저항 값은 2.7×10-4Ω?cm-1로 투명 전도막으로 사용하기에 충분한 특성을 나타냈다.

영어초록

Purpose: To study transparency conductibility thin film, Sn-Chloride and H3PO4 that was Soluble salts was used as a basic material and thin film was made by using sol-gel method. Method: P-doped SnO2 thin films were prepared by coating-pyrolysis process in the air at 2000 rpm for 10 seconds and pre-heated at 500℃ for 10 min. Results: Any crack or pore was not appeared on Surface of thin film in case of coating number of times in 5th, 10th case start of crack appear but microscopic pore were observed according as increase in 15th and 20th. Transmissivity in visible area is displaying about 85~90% in case of thin film that do 5th and 10th coating, but according as coating number of times increases in 15th and 20th, transmissivity of thin film decreased rapidly by 80%. Resistance that use four probe method coating number of times of thin film 10th it was 2.7×10-4Ω?cm-1 when is and according as coating withdrawal increases in 15th and 20th, resistance value of thin film increased rapidly by 9.8×10-3 Ω?cm-1 and 8.3×10-2Ω?cm-1. Conclusions: Transmissivity in visible area of thin film that do 10th coating was very high by 85~90%, and resistance value 2.7×10-4Ω?cm-1 showed enough special quality to be used as a transparency conductibility thin film.

참고자료

· 없음