저에너지 이온 주입법을 이용한 전도성 고분자의 전기전도성 개선

서지정보

· 발행기관 : 한국화상학회
· 수록지 정보 : 한국화상학회지 / 13권 / 4호
· 저자명 : 황대균, 정연태, 김종수, 정용석

목차

요 약
Abstract
1. 서 론
2. 실험 방법 및 결과
3. 고 찰
4. 결 론
참고 문헌

초록

전기전자 및 디스플레이 산업에 다양한 응용이 기대되는 전도성 고분자인 PPP(Polyparaphenylene)는 단순한 구조와 비교적 높은 열적 안정성을 가지고 있으나 전기적 특성은 기존의 물질보다 낮아 그 응용이 더디게 진행되고 있다. 본 연구에서는 전도성 고분자의 전기적 특성을 개선하기 위해 이온주입법을 이용하여 전기전도성을 개선하는 연구를 진행하였다. 5keV에서 30keV 정도의 아주 낮은 에너지를 이용하여 이온을 가속시킴으로서 시편의 특성 열화를 최소화 할 수 있었다. 이온주입법으로 개선된 시편의 전기전도성은 향후 OTFT와 같은 Organic Electronics Device로서의 사용 가능성을 보였으며 이온의 종류와 주입정도에 따라 Thermoelectric power의 크기가 달라지는 반도체 소재로서의 특성을 나타내어 향후 다양한 형태의 소자에 응용될 수 있는 가능성을 확인하였다. 실험으로 확인된 최적의 이온주입에너지는 10keV에서 15keV의 값을 나타내었다.

영어초록

Organic Electronic material, Polyparaphenylene(PPP) has good thermal stability and simple
structure but its low conductivity makes slow its wide applications. To modify the electrical properties, we try very low energy(from 5keV to 30keV) ion implantation technique. This technique makes it possible to decrease the defects by acceleration ions. Modified electrical properties show that this technique is good candidate for conducting polymers in OTFT, The optimal acceleration energy we found in this experiment is between 10 to 15keV according to ion mass.

참고자료

· 없음