채널의 도핑 농도에 따른 20nm이하의 Fin FET flash memory에서의 특성

목차

1. 서론

2. 본론
2.1 Abstract
2.2 Stimulation에 사용된 FinFET 구조

3. 결과
3.1 Doping 농도에 따른 Vth의 값
3.2 Doping 농도가 다를 때 Gate전압에 따른 Drain 전류의 변화.

4. 결론

5. 참고문헌

6. 졸업작품 후기

본문내용

휴대용 전자제품과 디스플레이용 가전제품의 수요의 급증에 의하여 고밀도 용량을 가진 플래시 기억소자에 대한 관심이 대단히 증대되고 있다. 현재까지 여러 가지 플래시 기억소자를 제작하였으나 기억소자의 신뢰성과 고밀도 및 고속동작에 대한 문제가 있기 때문에 고효율, 장수명 및 저전력 플래시 기억소자에 대한 연구가 필요하게 되었다. 이처럼 Flash memory의 활용도가 급속도로 커짐에 따라 Flash memory는 20nm급까지 비례 축소되어 활용되고 있다. 그러나 20nm이하 크기의 소자는 과도한 누설전류, 구동전압의 불안정, 큰 간섭현상 등 많은 문제점에 봉착해 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 개발된 차세대 메모리 소자 중 하나가 FinFET이다.
우리는 FinFET이라는 Flash Memory Device의 Scale down에 의한 전기적 특성 분석을 위한 3D Simulation을 실시하고 결과를 분석하는 목표로 논문 작성을 진행하였다. 그 중 Doping 농도에 변화를 주며 어떠한 특성이 나타나는지를 관찰하는 것이 이번 논문의 주제이다.

참고자료

· 「FinFET A SelfAligned DoubleGate MOSFET Scalable to 20 nm」 Digh Hisamoto, Member, IEEE, WenChin Lee, Jakub Kedzierski, Hideki Takeuchi, Kazuya Asano, Member, IEEE, Charles Kuo, Erik Anderson, TsuJae King, Jeffrey Bokor, Fellow, IEEE, and Chenming Hu, Fellow, IEEE
· FinFET SONOS Flash Memory for Embedded Applications Peiqi Xuan, Min She, Bruce Harteneck, Alex Liddle, Jefkey Bokor, and TsuJae King EECS Department, University of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA Center for XRay Optics, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA
· Fully Integrated SONOS Flash Memory Cell Array With BT (Body Tied)FinFET Structure SukKang Sung, TaeYong Kim, Eun Suk Cho, Hye Jin Cho, Byung Yong Choi, Chang Woo Oh, ByungKyu Cho, ChoongHo Lee, and Donggun Park, Senior Member, IEEE
· Paired FinFET Charge Trap Flash Memory for Vertical High Density Storage Sukpil Kim, Wonjoo Kim, Jaewoong Hyun, Sungjae Byun, Junemo Koo, Junghoon Lee, Kyounglae Cho, Seongtaek Lim, Jongbong Park, InKyeong Yoo, ChoongHo Lee2, Donggun Park2, and Yoondong Park
· Enhancement of Program Speed in DopantSegregated SchottkyBarrier (DSSB) FinFET SONOS for NANDType Flash Memory SungJin Choi, JinWoo Han, Sungho Kim, MoonGyu Jang, Jin Soo Kim, Kwang Hee Kim, Gi Sung Lee, Jae Sub Oh, Myeong Ho Song, Yun Chang Park, Jeoung Woo Kim, and YangKyu Choi