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학습지도안-디지털전자회로

정보통신기사 및 산업기사 자격취득 과정의 디지털전자회로 과목 학습지도안 입니다.
57 페이지
한컴오피스
최초등록일 2010.01.07 최종저작일 2010.01
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학습지도안-디지털전자회로
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    소개

    정보통신기사 및 산업기사 자격취득 과정의 디지털전자회로 과목 학습지도안 입니다.

    목차

    제 1 장 . 반도체 이론
    1
    제 2 장 . 전원 회로
    2
    제 3 장 . 트랜지스터 저주파 증폭회로
    7
    제 4 장 . 전계효과 트랜지스터(FET)
    11
    제 5 장 . 증폭기 주파수 응답 및 다단 증폭기
    13
    제 6 장 . 고주파 증폭회로
    16
    제 7 장 . 궤환증폭회로
    19
    제 8 장 . 연산증폭회로
    21
    제 9 장 . 대신호 증폭기
    25
    제 10 장 . 발진회로의 기본원리
    27
    제 11 장 . 변복조 회로
    32
    제 12 장 . 펄스 회로

    본문내용

    학습목표
    반도체 물성의 이해
    과 제
    도체, 반도체, 부도체를 구분하시오.
    ◎ 학습내용 ◎
    제 1장 반도체 이론
    (1) 반도체의 성질
    ① 정류작용
    ② 부(-)의 온도계수
    ③ 광전효과
    ④ 불순물이 증가하면 저항 감소
    ⑤ Hall 효과
    ◎ 도핑(doping) : 불순물 첨가
    ◎ 반도체 진성 반도체 : 순수한 4가의 원소 ( Ge, Si )
    전자()의 수 = 정공()의수 (절연체와 같음)
    불순물 반도체 n형 반도체(n : negative ) : 순수한 4가의 원소에 5가의 불순물(As, P, Sb) 첨가
    ① 과잉전자
    ② 다수반송자 : 전자 (), 소수반송자 : 정공 ()
    ③ 5가의 불순물 → 도너(doner) , 도너 원자는 이온을 뜀
    p형 반도체( p : positive) : 순수한 4가의 원소에 3가의 불순물(Ga, In) 첨가
    ① 부족전자
    ② 다수반송자 : 정공 소수반송자 : 전자
    ③ 3가의 불순물 → 억셉터(acceptor) , 억셉터 원자는 이온을 뜀
    ◎ 페르미준위
    (그림 1) 진성반도체와 불순물 반도체의 페르미준위
    특 징
    ① 진성 반도체는 온도에 관계없이 항상 금지대 중앙에 위치
    ② 불순물 반도체는 온도가 상승하면 금지대 중앙으로 이동
    정보통신설비과정 이론 학습지도안
    훈 련 과 정
    정보통신설비
    훈련기간
    3개월/6개월
    훈 련 과 목 명
    디지털 전자회로
    관련교재 및 참고자료
    대단원
    제 1장 반도체 이론
    디지털 전자회로
    소 단 원
    - 다이오드의 종류 및 특성
    학습목표
    여러 가지 다이오드의 특징을 안다.
    과 제
    (2) PN 접합 다이오드
    ● 확산 전류 : 농도나 밀도에 의하여 전자가 이동
    ●드리프트 전류 : 전계(전압)에 의하여 전자가 이동
    ① 순방향 바이어스 : P형 쪽에 (+), N형 쪽에 (-) 전압을 인가
    ⓐ 전위장벽이 낮아진다..
    ⓑ 공간 전하 영역의 폭이 좁아진다.
    ⓒ 전장이 약해진다.
    ② 역방향 바이어스 : P형 쪽에 (-), N형 쪽에 (+) 전압을 인가
    ⓐ 전위 장벽이 높아진다..
    ⓑ 공간 전하 영역의 폭이 넓어진다.
    ⓒ 전장이 강해진다.
    ③ 제너 항복 : 터널 효과에 의한 항복 현상. 항복전압 6[V]이하
    ④ 애벌란치 항복 : 이온화 충돌에 의한 항복현상. 항복전압 6[V]이상
    ⑤ 다이오드 모델
    ⑥ 제너다이오드 → 정전압 제어소자
    ⑦ 터널다이오드 → 부성 저항영역을 가짐 : 불순물 농도를 대단히 크게
    특징 : ㉠ 역바이어스 상태에서 훌륭한 도체
    ㉡ 작은 순바이어스 상태에서 저항은 대단히 작다.
    ㉢ 부성저항(dV/di<0)를 가진다.
    ⑧ 배리스터(Variable + Resistor) : 전압증가 → 저항감소 전압감소 → 저항증가
    ⑨ 베랙터 다이오드(Varactor Diode) : 가변 정전용량 다이오드라고도 함
    → 역방향 전압에 따라 정전용량 C 가 가변( )
    ⑩ 쇼트키 다이오드 : 한쪽은 금속 다른 한쪽은 반도체( 대부분 n형)를 접합
    → 주로 고속 스위칭에 이용( 다수만 동작하므로)
    ⑪ 더어미스터(Thermistor) : 부(-)의 온도계수를 갖고 있으며, 온도에 따라 저항이 변화하는 소자(T↑, R↓).
    ⑫ 트랜지스터(Transistor) E(Emitter ; 에미터), C(Collector ; 콜렉터), B(Base ; 베이스)
    정보통신설비과정 이론 학습지도안

    참고자료

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