숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서

소개

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목차

1. 실험 제목
2. 배경 및 이론
3. 참고문헌

본문내용

1. 실험 제목
Oxidation 공정

2. 배경 및 이론
1) 반도체 8대 공정
반도체 8대 공정은 다음의 8단계 과정을 거쳐 진행된다.

① 웨이퍼 공정
반도체 직접 회로는 웨이퍼라고 불리는 얇은 기판 위에 동일 회로를 여러 개 만들어 형성한다. 웨이퍼는 실리콘이나 갈륨, 아세나이드 등을 성장시킴으로써 얻은 단결정 기둥인 잉곳(Ingot)을 적당한 지름으로 얇게 썬 원 모양의 판이다.

웨이퍼를 제조하기 위해서는 먼저 잉곳을 만들어야 한다. 잉곳을 생성하기 위해 쓰이는 주된 기법이 쵸크랄 스키법과 플로팅 존법이다. 쵸크랄 스키법을 통한 잉곳 제조법은 먼저 다결정인 실리콘을 석영으로 만들어진 도가니에 넣고 1500 이상으로 가열하여 녹인다. 이후 Seed를 통해 녹은 실리콘을 응고하고 회전시켜준다. 윗 부분은 시계 반대 방향으로 회전시키고, 밑 부분은 시계 방향으로 회전시키면 잉곳이 제조된다.
이후 잉곳을 원판의 웨이퍼로 만들기 위해 균일한 두께로 얇게 잘라야한다. 웨이퍼의 두께가 얇을수록 제조하는 데에 원가가 줄어들고, 지름이 클수록 한 번에 생산할 수 있는 반도체 칩 수가 증가한다.
잉곳 절단을 한 후 웨이퍼의 표면에는 흠결이 존재하고, 거친 상태이다. 이는 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 표면 연마 작업을 통해 매끄럽게 만들어주어야 한다.

참고자료

· 삼성전자 반도체 뉴스룸 / https://news.samsungsemiconductor.com/kr/
· SK 하이닉스 뉴스룸 / https://news.skhynix.co.kr/post/jeonginseong-column-oxidation