총 5개
-
Ellipsometry를 이용한 편광 측정 실험2025.11.131. Ellipsometry Ellipsometry는 선형 편광된 빛이 시편에서 반사될 때 편광 상태가 타원 편광 형태로 변하는 현상을 이용하여 시편의 광특성과 구조를 측정하는 기술이다. 편광기를 통해 45도의 선형 편광 빛을 생성하고, 이 빛에는 s-파와 p-파가 동시에 존재한다. 시편으로부터의 반사광을 분석하여 물질의 광학적 특성을 정량적으로 측정할 수 있다. 2. Brewster 각 Brewster 각은 특정 입사각에서 p-파에 대한 반사율이 0이 되는 현상과 관련된 각도이다. 본 실험에서는 입사각을 70도로 설정하여 Brew...2025.11.13
-
숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서2025.01.211. 반도체 8대 공정 반도체 제조 공정은 웨이퍼 공정, 산화 공정, 포토 리소그래피, 식각 공정, 박막 증착 공정, 금속 배선 공정, 전기적 특성 테스트, 패키징 등 8단계로 이루어진다. 각 공정에 대해 자세히 설명하고 있다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 습식 산화, 건식 산화, 라디칼 산화 등의 방식이 있다. 각 방식의 특징과 장단점을 설명하고 있다. 3. 포토 리소그래피 포토 리소그래피는 웨이퍼 표면에 감광액을 도포하고 마스크를 통해 회로 패턴을 노광, 현상하여 회로를 형성하는...2025.01.21
-
숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
-
응용광학실험 - 엘립소메트리2025.12.091. 엘립소메트리 (Ellipsometry) 엘립소메트리는 선형 편광된 빛이 시편에서 반사될 때 편광 상태가 타원 편광으로 변하는 현상을 이용하여 시편의 광학적 특성을 측정하는 방법이다. 이 기술을 통해 Silicon oxide와 Titanium이 증착된 Silicon oxide 시편의 굴절률과 두께를 측정할 수 있으며, 선형 편광된 빛의 편광 상태 변화를 관찰하여 엘립소메트리의 작동 원리와 측정 방법을 이해할 수 있다. 2. 편광 (Polarization) 편광은 전자기파가 진행할 때 파를 구성하는 전기장이나 자기장이 공간상에서 ...2025.12.09
-
MOSCAP 4가지 구조 스펙 제안 및 공정 레시피2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 SiO₂–HfO₂–Al₂O₃–TaN 기반 MOSCAP의 4가지 구조(Turbo-RAM, Deep-Store, User MOSCAP, Et-Optimized Hybrid)를 비교 분석. User MOSCAP은 Al₂O₃ 1.0 nm, Et_eff 2.4 eV로 확정되었으며, 각 구조는 프로그램 시간과 보유 특성에서 차별화된 성능을 제시한다. Turbo-RAM은 20-30 ns의 빠른 속도, Deep-Store는 수 개월~수 년의 장기 보유를 목표로 한다. 2. ALD 공정 및 열처리 O₃-ALD를 이용한 ...2025.12.20