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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_4 옴의 법칙2025.05.131. 전류 전류는 회로 안의 전하의 흐름을 의미하며, 전류의 측정 단위는 암페어(ampere)입니다. 암페어는 1초 동안 회로의 한 점을 통해 지나간 전하의 양으로 정의됩니다. 전류는 약자로 I로 쓰며 화살표로 흐르는 방향을 나타냅니다. 전류의 방향은 전기장에 의해 양전하가 움직이는 방향으로 정의되므로 실제 전자(음전하)가 움직이는 방향은 전류가 흐르는 방향과 반대가 됩니다. 2. 전류와 전압 사이의 관계 전기부품의 특성은 전류와 전압 사이의 관계를 통해 알아낼 수 있습니다. 그래프를 그리려면 한 변수(variable)의 값을 바꾸...2025.05.13
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다양한 선형 미분 방정식의 MATLAB 풀이2025.01.161. 선형 미분 방정식 주어진 선형 미분 방정식의 해를 MATLAB을 사용하여 그래프로 나타내었습니다. 다양한 형태의 선형 미분 방정식 해를 구하고 그래프로 표현하는 방법을 설명하였습니다. 2. 지수적 감쇠 정현파 지수적 감쇠 정현파 신호를 MATLAB을 이용하여 분석하였습니다. 지수 매개변수 a의 값을 변화시켜가며 신호 x(t)에 미치는 영향을 조사하였습니다. 3. 연속 주기 파형 MATLAB을 사용하여 구형파와 톱니파와 같은 연속 주기 파형을 표현하는 방법을 설명하였습니다. 진폭, 주파수, 듀티 사이클 등의 파라미터를 조절하여 ...2025.01.16
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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[교류회로]_일반물리학 및 실험2_충북대학교2025.01.191. 전류-기전력 그래프 전류-기전력 그래프에서 기울기는 저항 값을 나타낸다. 옴의 법칙을 만족하는 것을 확인할 수 있었다. 2. 진동수-전류 그래프 진동수-전류 그래프에서 기울기는 리액턴스 값을 의미한다. RC 회로의 경우 진동수가 증가할수록 전류도 증가하는 비례 관계를 보였다. 3. 리액턴스 리액턴스는 교류 회로에서 전류의 흐름을 방해하는 요소로, 인덕터에 의한 유도 리액턴스와 축전기에 의한 용량 리액턴스가 있다. 리액턴스는 전압과 전류의 관계식에서 비례상수 역할을 한다. 4. 임피던스 임피던스는 교류 회로에서 전류가 흐르기 어...2025.01.19
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
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회로이론및실험1 9장 망 해석법과 마디 해석법 A+ 예비보고서2025.01.131. 망 전류 망 전류는 망의 둘레에만 존재하는 전류이며, 회로도에서는 적절한 망의 둘레를 따르는 폐곡선 또는 거의 닫힌 직선 중 하나로서 나타난다. 선 상의 화살표는 망 전류에 대한 기준 방향을 지시한다. 정의에 의해서 망 전류는 자동적으로 키르히호프의 전류 법칙을 만족시킨다. 망이 겹치는 부분은 선형 회로의 성질의 의해 각 망 전류의 선형 합으로 전류를 계산한다. 2. 실험 1 각각의 망 전류 예측값은 i_a = 8.425[mA], i_b = 6.237[mA], i_c = 1.94[mA]이며, 각 저항을 지나는 전류와 저항 양단...2025.01.13
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옴의 법칙 결과보고서2025.05.081. 옴의 법칙 실험 1에서는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 표시저항과 계산한 저항값의 오차가 매우 작았고 V-I 그래프에서 일정한 기울기를 보여 옴성 물질임을 확인할 수 있었다. 실험 2와 3에서는 다이오드가 옴의 법칙을 만족하지 않는 비옴성 물질임을 확인하였다. 다이오드의 전압-전류 특성이 직선이 아니며 저항값도 일정하지 않았다. 또한 다이오드에 역방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지 않는 극성 특성을 보였다. 발광 다이오드의 경우 색에 따라 순방향 전압값에 차이가 있었다. 2. 저항 실험 1에서 사용한 33Ω과 1...2025.05.08
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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