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회로이론및실험1 2장 옴의 법칙 A+ 예비보고서2025.01.131. 저항 저항은 전류의 흐름 또는 전하의 흐름을 방해하기 위한 물질의 특성이다. 전류가 상호작용하여 그들이 이동하는 동안 물질의 원자 구조에 의해 방해받기 때문에 이것을 모델링하여 회로 소자로 표현한다. 대부분의 물질은 전류에 대해 측정 가능한 저항을 나타낸다. 저항 값이 작은 구리와 같은 금속은 전류가 잘 통하는 물질이다. 2. 도전율 저항과 반대되는 개념인 도전율은 전류가 흐르기 쉬운 정도를 나타낸다. 기호로는 G를 쓰고, 단위로는 S(siemens, 지멘스)를 사용하며 저항의 역수로 정의된다. 3. 옴의 법칙 저항에 대한 전...2025.01.13
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기초전자회로및실험1 7주차 예비레포트2025.01.281. 중첩의 원리 전원이 2개 이상인 선형회로에서 전류 및 전압은 '전원을 1개씩 동작시킬 때 나타나는 전압 및 전류의 합'이라는 중첩의 원리를 이용하여 구한다. 중첩의 원리는 모든 회로 구성요소가 선형이어야 하며, 전압 소스의 반대 극성에 있는 전류의 흐름이 동일해야 한다. 비선형 회로나 능동 component에는 적용할 수 없다. 2. 최대전력 전달조건 전력이 최대로 전달되는 임피던스의 조건을 최대전력 전달조건이라고 하고, 이는 전원의 내부저항과 부하저항의 크기가 같을 때 성립한다. 최대전력 전달조건은 무선 송신기 설계, 증폭기...2025.01.28
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_15 회로해석(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 망로전류법 회로 내의 각 망로전류를 KVL을 이용하여 구하는 방법. 각 저항에 걸리는 전압을 단자 전류가 아닌 망로전류로 표시해야 한다. 2. 마디 전압법 회로 내의 각 마디 전압을 KCL을 이용하여 구하는 방법. 각 저항에 흐르는 전류를 단자전압이 아니라 마디 전압으로 표시해야 한다. 3. 브리지 회로 실험에서 사용된 브리지 회로에 대해 망 전류법과 마디 전압법을 적용하여 루프 방정식과 절점 방정식을 세우고 해를 구하는 과정을 설명하고 있다. 4. LTspice 시뮬레이션 실험 회로를 LTspice로 시뮬레이션하여 망 전류법...2025.05.13
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전기및디지털회로실험 실험5 결과보고서2025.01.121. 키리히호프의 법칙 이번 실험에서는 직류회로에서 키리히호프의 전압법칙과 전류법칙을 확인하였다. KVL을 통해 회로를 따라 어떤 경로를 거쳐 원래의 출발지점으로 돌아왔을 때 그 경로상에 존재하는 회로요소들의 전압을 모두 합하면 0이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 그리고 KCL을 통해 어떤 분기점에 대해서 그 분기점에 접속된 모든 방향에서 흘러 들어오는(혹은 흘러 나가는) 전류의 합은 0임을 확인할 수 있었다. 2. 중첩의 원리 2개 이상의 전원을 포함한 회로에서 어떤 점의 전위 또는 전류는, 각 전원이 단독으로 존재한다고 했을 ...2025.01.12
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전류계 분류기 및 전압계 배율기 & 옴의 법칙 결과보고서2025.01.121. 전류계 분류기 및 전압계 배율기 이번 실험에서는 전류를 측정하는 방법과 전압을 측정하는 방법을 배웠습니다. 전류를 측정할 때는 멀티미터를 회로와 직렬로 연결해야 하고, 전압을 측정할 때는 멀티미터를 저항과 병렬로 연결해야 합니다. 실험을 통해 이를 이해하게 되었고, 오차율도 5% 미만으로 만족스러운 결과를 얻었습니다. 2. 옴의 법칙 옴의 법칙을 실험을 통해 확인하였습니다. 고정저항과 가변저항을 사용하여 전압, 전류, 저항의 관계를 측정하였고, 실험값과 이론값이 잘 일치하는 것을 확인하였습니다. 전압이 증가하면 전류도 증가하고...2025.01.12
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)2025.05.101. 다이오드 특성 실험을 통해 다이오드의 특성을 확인할 수 있었습니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 다이오드에 전류가 흐르고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 전류가 흐르지 않습니다. 이런 특성과 다이오드의 연결 방향에 따라 출력 전압(Vout)의 파형이 결정됩니다. 또한 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있었고, 이 전압이 다이오드의 온 전압(VD,on)입니다. 2. 다이오드의 소신호 동작 실험을 통해 전압이 아주 작게 변화할 때는 전류가 선형적으로 변하는 것처럼 보인다는 것을 알 수 있었습니다. 이 경우 다이오...2025.05.10
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기초전자회로및실험1 3주차 결과레포트2025.01.281. 옴의 법칙 실험과정 2에서는 전압이 2V씩 증가할 때마다 전류가 3.3~4mA 증가하고, 실험과정 4에서는 전압이 2V씩 증가할 때마다 전류가 1.6~2mA씩 증가한다. 변화량을 직접 계산하면 실험과정 2는 ΔI=ΔV/R=2/600=3.334mA, 실험과정 4는 ΔI=ΔV/R=2/1200 =1.667mA가 증가하는 것을 보면 약간의 오차는 있지만, 옴의 법칙을 어느정도 만족한다고 볼 수 있다. 2. 직렬 및 병렬 회로 직렬연결 실험에서는 어느 곳에서나 전류의 값이 유사하지만 전압은 다르다는 것, 병렬연결에서는 전류는 다르지만,...2025.01.28
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실험 11_공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 특성 실험을 통해 MOSFET의 각 단자들의...2025.04.28
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