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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역방향 바이어스 상태에 있어야 한다. 게이트에 양의 전압이 인가되면 n형 채널이 형...2025.01.13
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ZnO 박막의 제조 결과레포트 A+2025.01.171. 유기태양전지의 구조 유기태양전지의 구조는 전극, active layer, buffer layer로 구성되어 있다. 전극은 cathode와 anode로 이루어져 있으며, 금속 전극은 acceptor 층을 따라 나온 전자들을 수집하여 바깥 도선으로 이동할 수 있도록 해주고, ITO 전극은 투명하지만 전류를 흐를 수 있게 해준다. Active layer는 donor와 acceptor로 이루어져 있으며, donor는 exciton을 생성하고, acceptor는 전자친화도가 높은 재료를 이용하여 계면에서 전자를 쉽게 이동시킬 수 있도록...2025.01.17
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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AMD 실험 결과보고서 Optical property of PEDOT_PSS, PDY2025.05.041. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 conductive polymer재료로서, 높은 일함수(보통 5.1eV)와 좋은 Hole affinity을 가지고 있어 정전기 방지막의 재료로 사용된다. 소형 디스플레이에서 사용하는 Bottom emission OLED의 경우 HIL방향으로 빛이 나오고 PEDOT:PSS는 가시광선 투과율이 높기 때문에 HIL로 사용하기 적합하다. HIL의 경우 ITO와 물리적, 화학적으로 궁합이 맞아야 하는데, PEDOT:PSS와 ITO 모두 친수성이기 때문에 접합력이 좋고, ITO로부터 Hole주입도 원...2025.05.04
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ITO 및 FTO 히스테리시스 레포트2025.05.081. 자화(magnetization) 물체가 자성을 지니는 현상으로 자기장 안의 물체가 자화되는 양상에 따라 강자성체, 상자성체, 반자성체로 나뉜다. 그 세기는 물체의 단위부피에 대한 자기모멘트로 측정한다. 자화율은 물질이 자화되는 세기와 외부 자기장의 자화력의 비율로 상자성체나 반자성체는 물질의 고유상수이나, 강자성체는 자화과정과 자기장의 세기에 따라 자화율이 변한다. 2. 분극 분극은 2가지로 분류될 수 있다. 먼저 유전체에 전계를 가하면 원자를 구성하는 음 양의 전하 또는 이온이 서로 반대 방향으로 변위하여 쌍극자 모멘트를 일...2025.05.08
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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