
[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계
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2023.02.09
문서 내 토픽
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1. 단일 Current Mirror 설계이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE 시뮬레이션을 수행하고 결과를 표에 작성합니다. (F) 전류원의 출력 저항 Ro를 측정하는 방법을 설명합니다.
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2. Cascode Current Mirror 설계이 섹션에서는 Cascode Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) IREF = 10 mA인 Cascode 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS1, VGS2와 W/L 값을 구합니다. (B) 10 mA Cascode 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (C) PSPICE 시뮬레이션을 수행하고 결과를 표에 작성합니다.
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1. 단일 Current Mirror 설계단일 Current Mirror는 가장 기본적인 전류 미러 회로로, 입력 전류를 복사하여 출력 전류를 생성하는 역할을 합니다. 이는 전류 증폭, 전류 분배, 전류 복사 등의 다양한 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 단일 Current Mirror의 설계 시 고려해야 할 주요 사항은 입력 전류와 출력 전류의 비율을 결정하는 트랜지스터 크기 비율, 전압 강하, 출력 저항 등입니다. 이러한 요소들을 적절히 설계하여 정확한 전류 복사와 안정적인 동작을 보장할 수 있습니다. 또한 단일 Current Mirror는 구조가 간단하여 집적도가 높고 전력 소모가 낮은 장점이 있어 저전력 회로 설계에 유용하게 활용될 수 있습니다.
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2. Cascode Current Mirror 설계Cascode Current Mirror는 단일 Current Mirror의 단점을 보완하기 위해 개발된 회로 구조입니다. Cascode 구조를 통해 출력 저항을 높여 출력 전압 변동을 줄이고, 입력 전류와 출력 전류의 관계를 더욱 정확하게 유지할 수 있습니다. 이를 통해 단일 Current Mirror에 비해 더 나은 전류 복사 정확도와 출력 저항 특성을 얻을 수 있습니다. 하지만 Cascode Current Mirror는 단일 Current Mirror에 비해 회로가 복잡하고 전압 강하가 크다는 단점이 있습니다. 따라서 응용 분야와 요구 사항에 따라 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror 중 적절한 회로를 선택하여 설계해야 합니다.
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계1. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전...2025.05.01 · 공학/기술
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계1. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용...2025.05.10 · 공학/기술
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계1. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N...2025.01.11 · 공학/기술
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계1. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 목적: N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, Current Mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 단...2025.04.30 · 공학/기술
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 10V의 Power Supply 전압을 인가하고 단일 MOS Current Mirror 회로를 구현해 transistor M1, M2의 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2를 측정하고 IO와 IREF를 계산하였다. 측정 결과 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2의 오차율은 각각 5.53%, 5.96...2025.04.30 · 공학/기술
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서1. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 ...2025.01.22 · 공학/기술
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중앙대학교 전자회로설계실습 8 MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서 (A+) 4페이지
3. 설계실습 계획서3.1 단일 Current Mirror 설계* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.(A) 2N7000의 Data sheet로부터 을 구한다. 사용한 수식 및 수치를 자세히 적어서 제출한다(Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current 이용)먼저 를 참고하면 2N7000의 Gate Threshold Voltage 는 2.1V이다.(C) 전류원으로 이용하기 위해서 은 Saturation 영역에서 동작해야 한다.기본적으로 이 Saturation영역에서 동작하...2021.12.06· 4페이지 -
(A+)중앙대학교 전자회로설계실습 8 MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서 8페이지
그림 1의 회로와 같이 Current Source에서 M1 ,M2로는 2N7000/FAI을 이용하며 VCC = VDD = 10 V인 경우, IREF = 10 mA인 전류원을 설계한다. (A) 2N7000의 Data sheet로부터 (1/2)kn'(W/L)을 구한다. 사용한 수식 및 수치를 자세히 적어서 제출한다. (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current 이용)(C) 전류원으로 이용하기 위해서 M1은 Saturation 영역에서 동작해야 한다. 이때 M1이 Saturation 영역에서 동작...2022.03.02· 8페이지 -
A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계 6페이지
설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계과 목 : 전자회로설계실습학 번 :조/이름:3.1 단일 Current Mirror 설계그림 1 Current Source그림 1의 회로와 같이 Current Source에서 M1 ,M2로는 2N7000 (Fairchild)을 이용하며 VCC = VDD = 10 V 인 경우, IREF = 10 mA인 전류원을 설계한다.(A) 2N7000의 Data sheet로부터 (1/2)kn'(W/L)을 구한다. 사용한 수식 및 수치를 자세히 적어서 제출한다. (Gate Threshold V...2023.02.25· 6페이지 -
[A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 8주차 MOSFET Current Mirror 설계 6페이지
1. 목적N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2. 준비물 및 유의사항Oscilloscope (2 channel) : 1대DC Power Supply (2 channel) : 1대DMM : 1대40cm 잭-집게 연결선(빨강): 4대40cm 잭-집게 연결선(검정) : 4개Breadboard (빵판) : 1개점퍼 와이어 키트 :...2021.04.07· 6페이지 -
[A+] 중앙대 전자회로설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 (예비보고서) 5페이지
1. 목적N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1대Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대Digital Oscilloscope : 1대40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개Breadboard ...2022.03.27· 5페이지