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기초전자실험 REPORT 옴의 법칙2025.05.061. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 기본적인 법칙입니다. 전압은 전류와 저항에 비례하고, 전류는 전압에 비례하지만 저항에 반비례합니다. 또한 저항은 전압에 비례하지만 전류에 반비례합니다. 이러한 관계를 수식으로 표현하면 V = IR, I = V/R, R = V/I 입니다. 실험을 통해 이러한 옴의 법칙을 확인하고 이해할 수 있습니다. 2. 전압-전류 그래프 옴의 법칙에 따르면 전압과 전류는 선형적인 관계를 가집니다. 이를 그래프로 표현하면 기울기가 1/R인 직선이 됩니다. 이 기울기는 컨덕턴스를 ...2025.05.06
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전도성 고분자 필름제조 및 특성분석2025.05.151. 저항과 전기 전도도의 관계 전류 I가 흐르고 있는 단면적 A, 길이 L인 도선에서 전기장은 전위가 낮아지는 방향으로 향하고 있으므로 점 a에서의 전위는 점 b에서의 전위보다 높다. 전류를 양전하의 흐름으로 생각할 경우 양전하는 전윅 krkath하는 방향으로 이동한다. 이 도선에서 전기장이 일정할 경우 두 점 a와 b사이의 전합강하는 V(전압)이다. 전류의 방향으로 생기는 전압강하의 전류에 대한 비를 도선의 저항이라 부른다. V=IR은 보통 Ohm's law라고 한다. 물질이나 용액이 전하를 운반할 수 있는 정도. 비저항의 역수...2025.05.15
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휘트스톤 브릿지 회로와 kirchhoff 법칙 결과 레포트2025.05.071. 저항과 비저항 저항이란 전류의 흐름을 방해하는 정도로, 주어진 퍼텐셜 차에 대해 저항이 클수록 전류가 작게 흐른다. 도체의 두 점 사이에 퍼텐셜 차가 V일 때, 흐르는 전류 I를 측정하여 도체의 저항을 결정한다. 이때 저항은 R=V/I로 정의된다. 저항의 SI 단위는 Ω이며, 저항은 자주 사용하는 물리량이다. 또한 회로 내에서 특정한 저항 값을 주는 도체를 저항기라고 한다. 비저항은 특정한 물질을 다룰 때 사용되며, 전기장 E와 전류 밀도 J의 관계로 정의된다. 2. 휘트스톤 브릿지 휘트스톤 브릿지는 극도로 작은 저항을 측정하...2025.05.07
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서강대학교 22년도 전자회로실험 11주차 결과레포트2025.01.131. 전류원 및 전류미러 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동 증폭기분반조학번이름시작15:00종료17:30실험시작/종료시간 기재(통계목적임)예비보고서는 아래 각 문항 중 (예비)라고 되어 있는 부분을 수행하여 작성한다.결과보고서는 측정결과 및 분석을 추가하고, 설계과제를 수행하여 결과를 작성한다.회로 구성 사진 및 측정화면 사진은 실험 조원의 학생증 등 ID 가 보이도록 촬영함 2. MOSFET 차동 증폭기 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동...2025.01.13
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교류 발전기 및 전동기의 고조파 저감방법2025.01.281. 고조파의 정의 고조파(Harmonic wave)란, 기본 주파수에 대해서 정수배가 되는 주파수의 정현파이며, 기본파의 n배 주파수를 갖는 성분을 n차 고조파 라고 부른다. 고조파는 산업에서 가장 많이 사용되는 회전형 기기인 교류발전기, 전동기에서도 발생하며 기기에 굉장히 안 좋은 영향을 미치게 된다. 2. 고조파 발생 원인 유도전동기의 VVVF 시스템, 비선형 부하, 돌극형 동기발전기의 공극 크기와 철심 포화 등이 고조파 발생의 주요 원인이다. 3. 고조파가 회전기기에 미치는 영향 고조파로 인해 유도전동기에서 크로우링 현상이 ...2025.01.28
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휘스톤브릿지를 이용한 전기저항 측정2025.01.051. 휘스톤 브리지 휘스톤 브리지는 저항을 정밀하게 측정할 수 있도록 만들어진 장치입니다. 이 회로에서 전류는 위와 아래, 두 갈래로 나뉘어 흐르며, 전류계에 전류가 흐르지 않는 상황을 만들어 미지의 저항을 구할 수 있습니다. 이를 위해 옴의 법칙을 이용하여 식 (13-4)를 도출하였고, 저항선의 길이와 비저항을 고려한 식 (13-8)을 통해 미지 저항을 계산할 수 있습니다. 2. 전기저항 측정 이 실험에서는 휘스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지의 저항체의 전기저항을 측정하는 것이 목적입니다. 실험 과정에서는 미지 저항과 ...2025.01.05
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화학공학실험 반도체 및 도체의 전류-전압 특성 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전류-전압 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 순방향 전압을 가해주었을 때 각각 1.1V, 1.3V에서 전류가 급격하게 증가하는 것을 확인하여 다이오드의 문턱전압을 알아낼 수 있었다. 또한 제너 다이오드의 역방향 바이어스에서 항복전압이 -0.8V로 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 2. 옴의 법칙과 저항의 전류-전압 특성 두 번째 실험은 저항...2025.05.10
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직류회로 예비레포트2025.05.041. 옴의 법칙 옴의 법칙은 일정온도에서 금속도체의 두 점 사이의 전위차와 전류의 비는 일정함을 의미한다. 이 일정한 비를 두 점 사이의 전기저항 R이라고 하며 단위는 Ω이다. 따라서 도체의 양 끝 사이의 전위차가 ΔV이고 전류가 I이면 옴의 법칙은 ΔV = IR 로 나타낼 수 있다. 2. 직렬 연결 직렬 연결에서는 모든 저항체에 같은 전류 I가 흐른다. 또한 직렬로 연결하는 저항의 수가 늘어날수록 합성 저항은 커지며 합성 저항은 각각의 저항보다 크다. 또 한 각 저항에 걸리는 전압의 총합은 전체 전압과 같다. 3. 병렬 연결 병렬...2025.05.04
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비저항 & 휘트스톤브릿지 - 일반물리실험II A+레포트2025.01.291. 비저항 측정 실험 실험 1에서는 다양한 종류의 철사를 이용해 전압과 전류를 측정하여 저항값을 구하고, 비저항을 구하기 위해 그래프를 그렸다. 실험 결과 분석에 따르면 철사의 길이가 길어질수록 저항값이 커지는 것을 확인할 수 있었지만, 측정 장치의 문제로 인해 오차율이 크게 나타났다. 이를 해결하기 위해서는 새로운 측정 장치를 사용하여 추가 실험을 진행해야 할 것으로 보인다. 2. 휘트스톤 브리지 실험 실험 2에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지의 저항값을 측정하였다. 실험 결과 분석에 따르면 R2/R1의 비율을 높게 잡을수록...2025.01.29
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전기전자공학실험-전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터이며, 유니폴라 소자로 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하게 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상 일정한 전류를 ...2025.04.30
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