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4주차 예비 보고서 18장 기본 논리 소자를 활용한 논리 회로2025.05.011. 직류 전원 장치 사용법 직류 전원 장치는 회로에 직류 전원을 공급하기 위해 사용하는 장치로써 전압 크기를 일정 범위 내에서 가변 공급하기 위하여 사용한다. 전원 스위치를 눌러 LCD 표시 창이 켜지면 전원이 켜지며, 가변 출력 단자의 +와 - 단자를 구분해 선을 꽂고 output1을 출력하려면 가변 출력 단자 채널 1번에 연결하여 전압을 5V로 맞춘 후 0.3V씩 전압을 내린다. 2. 7404 NOT 게이트 회로 구성 7404는 총 14개의 핀을 구성하고 있으며, 6개의 NOT 게이트로 존재한다. 14번 핀은 5V의 직류 전압...2025.05.01
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전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 건전지 내부저항 측정 이번 실습에서는 건전지의 내부저항을 측정하기 위해 건전지와 저항이 직렬로 연결되도록 회로를 구성하고 DMM을 저항에 병렬 연결하여 저항 양단에 걸리는 전압을 측정하였다. 이를 통해 건전지도 내부저항이 존재한다는 사실을 확인할 수 있었다. 2. 저항 측정 방식 비교 실험의 정확성을 높이기 위해 저항값 측정 시 2-wire 방식 보다는 4-wire 방식을 이용하였다. 2-wire 방식에 비해 4-wire 방식이 더 정확한 결과를 보였다. 3. DC Power Supply 사용법 DC Power Supply의 ...2025.04.25
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중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 주요 내용으로는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로 설계, 이론부의 overall voltage gain 식을 이용한 부하저항 결정, 바이어스 전압 및 저항 값 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 입력 신호 크기 조절을 위한 추가 저항 설계 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitt...2025.05.10
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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Thevenin 등가회로 구현 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였습니다. Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 무부하 상태에서 단자 사이의 전압을 측정하여 Vth를 구하고, 10kΩ 저항을 연결했을 때 전압이 줄어든 것을 이용하여 Rth를 계산하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 주파수가 2kHz인 센서의 출력을 증폭하여 1Vpp의 출력을 내는 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 회로, PSPICE 출력파형...2025.01.27
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
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전자회로설계 및 실습6_설계 실습6. Common Emitter Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 1 Ω, RL = 2 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(Av)이 -100 V/V인 emitter 저항사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain Gv 식을 사용하여 RC를 결정하고, Rin, IC, IB, IE, VC, VE, VB, RE, ...2025.01.22
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[전자공학실험2] 연산 증폭기2025.04.271. 연산 증폭기의 사용법 및 특성 측정 이 실험에서는 연산 증폭기의 사용법을 익히고, 연산 증폭기의 특성 측정과 응용 회로 실험을 통해 연산 증폭기의 성능 및 동작 원리를 이해하였습니다. 실험을 통해 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류, 반전 증폭기와 비반전 증폭기의 특성, 슬루율 측정, 최대 증폭도 측정, 적분기 회로 등을 확인하였습니다. 2. 연산 증폭기의 DC 오프셋 특성 실험 1에서는 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류를 측정하였습니다. 연산 증폭기 내부의 소자 불일치로 인해 발생하는 DC 오프셋 특성...2025.04.27
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.211. Common Emitter Amplifier 설계 이 프레젠테이션에서는 Rsig = 50 Ω, RL = 5 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain(υo/υsig) Gv에 대한 식을 사용하여 ...2025.01.21
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