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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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전자기파의 특성 실험 예비 보고서2025.01.171. 전자기파의 주파수와 파장 실험에 사용되는 스마트폰의 통신 주파수와 파장을 조사하였습니다. KT 통신사의 3G, LTE, 5G 주파수 대역과 각각의 파장을 계산하였습니다. 또한 블루투스 통신의 주파수와 파장도 확인하였습니다. 2. 전자기파의 세기 감소 전자기파의 세기는 방출기로부터의 거리에 따라 감소하는데, 이는 S(r) = P_s / (4πr^2) 함수에 따라 감소합니다. 점 소스의 경우 거리의 제곱에 반비례하고, 선 소스의 경우 거리에 반비례합니다. 따라서 송전선에서 멀어질수록 전자기파의 세기가 감소하고, 가까워질수록 증가합...2025.01.17
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재료공학기초실험_SEM 전자현미경 원리 및 시편준비(2)_세라믹분말관찰2025.05.081. 주사전자현미경(SEM) 원리 및 시편 준비 본 실험에서는 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 재료의 미세구조를 관찰하는 방법을 학습한다. 세라믹재료의 파단면 형상, 기공의 존재, 분말의 입자 크기, 표면형상 및 평균 결정립 크기를 조사하기 위한 시료의 준비방법을 실습하고, 주사전자현미경 관찰 및 사진 분석을 통하여 세라믹스의 미세구조에 대한 일반적인 이해를 얻는다. 2. 시편 준비 과정 시험편의 준비 과정은 다음과 같다: (1) 시험편의 절단 - 카본 테잎 위에 분말을 떨어뜨려 준비. 소결체의 경우에는 단면 분석을 위해 시험편을...2025.05.08
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MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_예비레포트2025.01.121. Common Drain 회로 Common Drain 회로는 입력 신호가 Gate에 인가되고 Source에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Drain이 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 Common Drain 증폭기라 한다. DC Analysis를 통해 Gain을 얻을 수 있고 이를 T-Model 해석에 이용하면 Gain은 약 1이 된다. 따라서 Common Drian 회로는 Gain이 1인 비반전 회로가 되며 Source follower라 부르기로 한다. Common Drain 회로는 Gain이 1이므로 입력...2025.01.12
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디스플레이 기술의 원리와 국내 제품 사례, LCD와 OLED의 차이와 장단점, 미래2025.05.011. 디스플레이(OLED) 기술의 원리 디스플레이(Display)는 라틴어 displico에서 파생되었으며 시각 정보 표시장치를 의미합니다. OLED는 전계발광 방식으로 전자와 정공이 만나 빛을 내는 원리입니다. 디스플레이는 발광형과 비발광형으로 분류되며, OLED는 자체 발광하는 발광형 디스플레이에 속합니다. 2. LCD와 OLED의 차이와 장단점 LCD는 액정을 이용하여 빛을 조절하는 방식이며 별도의 광원이 필요합니다. OLED는 자체 발광하므로 광원이 필요 없어 얇고 가벼우며 완벽한 검정색 표현이 가능합니다. 하지만 OLED는...2025.05.01
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전자회로 실험 12. JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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아동의 정의와 현대사회에서의 아동의 지위 및 관리 변화2025.04.291. 아동의 정의 아동은 출생에서부터 만 18세 미만이 될 때까지 정신적, 정서적, 사회적, 신체적으로 미성숙한 상태의 인간을 뜻한다. 아동의 정의에 대한 연령규정은 기준과 범위가 일관성없이 무분별하게 사용되는 양상을 보인다. 아동복지법상 아동은 18세 미만의 자로 되어 있지만 각 법률의 취지에 따라 만 6세, 만 12세, 만 13세, 만 14세로 분류하고 있다. 2. 아동의 지위 - 인구학적 측면 오늘날 지속적으로 심각한 문제인 고령화 저출산 문제의 심각성으로 인하여 우리나라 아동인구는 계속적으로 감소하고 있다. 또한 65세 이상...2025.04.29
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[A+자료] 반도체 물성과 소자 9~10장 정리2025.05.111. 반도체 물성 반도체 물질의 기본적인 특성과 구조에 대해 설명합니다. 반도체 내부의 전자와 정공의 움직임, 에너지 밴드 구조, 도핑 등 반도체의 기본적인 물리적 특성을 다룹니다. 2. 반도체 소자 반도체 소자의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 다이오드, 트랜지스터, MOS 소자 등 다양한 반도체 소자의 구조와 동작 메커니즘을 다룹니다. 각 소자의 전압-전류 특성, 동작 영역, 응용 분야 등을 설명합니다. 3. MOS 트랜지스터 MOS 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 자세히 설명합니다. 문턱전압, 선형 영역, 포화 영역, 항...2025.05.11
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다이오드 종류2025.05.151. 버랙터 다이오드 버랙터 다이오드는 역방향 바이어스의 전압 크기에 따라 접합 커패시턴스 용량이 변화하는 다이오드로 가변 캐퍼시턴스 다이오드라고 할 수 있습니다. 버랙터 다이오드는 기본적으로 공핍층 때문에 발생된 커패시턴스를 이용하는 역방향 바이어스된 PN 접합 다이오드입니다. 역방향 바이어스에 의해 생성된 공핍층은 절연 특성 때문에 캐퍼시턴스의 유전체와 같은 역할을 합니다. 버랙터 다이오드는 여러 특성을 가지며, 다른 다이오드에 비해 훨씬 적은 노이즈를 가지고 크기가 매우 작고 가벼워 비용이 저렴하며 높은 안정성 또한 가지고 있...2025.05.15
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힘,변형,촉각 센서 개요(Force, Strain, and Tactile Sensors)2025.05.111. Force Sensors 힘 센서는 힘을 측정하고 전기 신호로 변환하는 장치입니다. 표준 질량의 중력과 미지의 힘 사이의 균형을 맞추거나, 질량을 알고 가속도를 측정하거나, 전자기적으로 생성된 힘에 대한 힘의 균형을 맞추거나, 힘을 유체에 대한 압력으로 변환하고 그 압력을 측정하거나, 미지의 힘으로 탄성체에서 생성된 변형률을 측정하는 등의 방법으로 힘을 측정할 수 있습니다. 대부분의 현대 센서에서는 힘이 전기 신호로 직접 변환되지 않으며, 힘-변위 변환기와 위치 센서 등의 센서 결합을 통해 제조됩니다. 2. Strain Gau...2025.05.11
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