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건국대학교 물리학및실험2 5주차 옴의 법칙 실험레포트2025.01.031. 옴의 법칙 옴의 법칙은 장치를 통과하는 전류가 항상 장치에 적용되는 전위차에 정비례한다는 법칙이다. 이는 특정 상황에서만 적용되지만, 역사적인 이유로 인해 법칙이라는 용어를 사용한다. V=IR 방정식은 옴의 법칙을 따르는지 여부와 관계없이 모든 전도 장치에 적용된다. 옴의 법칙의 본질은 I-V 관계가 선형이라는 것이다. 즉, 저항 R은 전압 V에 대해 독립적이다. 2. 직렬 및 병렬 회로 회로에서 여러 개의 저항으로 구성된 경우, 저항체들은 직렬 연결법과 병렬 연결법으로 구분된다. 직렬 연결에서 합성저항 Rs는 각 저항의 합이...2025.01.03
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일반물리학및실험 3주차 옴의 법칙 결과 보고서2025.01.161. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압(V), 전류(I), 저항(R) 사이의 관계를 나타내는 법칙으로, V = I x R로 표현할 수 있다. 실험을 통해 이 관계가 성립함을 확인할 수 있었으나, 오차율이 크게 나타났다. 이는 저항 값의 오차, 온도 변화에 따른 저항 변화, 센서의 문제, 실험 기구의 노후화 등 다양한 요인에 의한 것으로 추정된다. 오차를 줄이기 위해서는 실험 기구의 정확도를 높이고, 실험 환경을 더 엄밀히 통제할 필요가 있다. 1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에서 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 기본적인 ...2025.01.16
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pspice 비선형op앰프예비레포트2025.05.091. 비교기 비교기 OP앰프를 이용하여 비교기를 가장 간단히 구현하는 방법은 귀환이 없는 개방 루프로 구성하는 것이다. 회로전압 V_in이 V_REF 보다 클 때는 양이고 V_in이 V_REF 보다 작을 때는 음이다. 보통 OP앰프의 이득이 매우 크기 때문에 출력은 포화된다. 즉, V_in이 V_REF 보다 작은 어떠한 V_in값에 대해서도 전압은 음의 공급전압에서 포화된다. 따라서, 출력은 두 가지 가능한 값(음 또는 양) 중에서 하나만을 취하게 된다. 반대로 입력이 V_REF 주변에서 변화할 때, V_in의 V_REF 축을 넘어...2025.05.09
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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기초전자실험 - 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스는 R_B * (beta_D * R_E)로 주어진다. 달링턴 이미터 폴로어의 출력 임피던스는 r_e이며, 전압 이득은 (R_E) / (R_E + r_e)와 같다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q_1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q...2025.04.30
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예제를 통한 저항 직병렬회로 소비전력과 공급전력의 증명 및 KCL2025.01.151. 직렬회로 직렬회로에서 각 저항의 전류는 같고 각 저항의 걸리는 전압의 합은 전압원과 같다. 따라서 공급전력 Ps = VI = (IR0)I = R0I^2 = (R1 + R2 + ... + Rn)I^2이며, 소비전력 Pc1 = R1I^2, Pc2 = R2I^2, ..., Pcn = RnI^2이다. 2. 병렬회로 병렬회로에서 각 소자의 흐르는 전류는 다르고 전압은 같은 단자전압이다. 따라서 합성 병렬 저항은 R0 = (R1*R2)/(R1+R2)이며, 공급전력 Ps = (1/R1 + 1/R2 + ... + 1/Rn)V^2이고, 소비전...2025.01.15
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압 분배 바이어스 회로 전압 분배 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작 점을 안정적으로 설정하며, 안정적인 증폭기 성능을 제공하는 역할을 한다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전류와 컬렉터 전류를 제어하여 증폭기가 안정적으로 작동하도록 한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 전압 분배기와 에미터 저항을 사용하여 트랜지스터의 바이어스를 안정적으로 설정하고, 이를 통해 증폭기의 동작을 안정화한다. 베이스 전압, 컬렉터 ...2025.01.29
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일반물리학실험 구심력 예비보고서 레포트 과제2025.05.111. 각속도 물체의 가속도와 각가속도를 구할 수 있다. 반지름이 r인 원형 궤도 위에서 등속력 v로 운동하는 물체의 각속도(angular velocity)는 omega 는 각 변위 DELTA theta 를 회전시간 DELTA t로 나눈 값이다. 2. 속력 원형 궤도에서 등속 원운동하는 물체의 속력 v는 회전축으로부터 물체까지의 거리 r와 각속도 omega 의 곱과 같다. v= {l} over {DELTA t} = {r DELTA theta } over {DELTA t} =r omega 3. 구심가속도와 구심력 등속 원운동하는, 질량...2025.05.11
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아주대학교 A+전자회로실험 실험4 예비보고서2025.05.091. 정궤환 회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용하여 정궤환 회로를 구성하고, 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로, 사각파 발생 회로의 구성과 역할에 대해 알아보는 것입니다. 회로를 구성하여 각 경우에 대한 V_TL, V_TH, +V_sat, -V_sat을 측정하여 이들이 의미하는 바를 알아보고, 이론에서 배운 내용을 실험을 통해 증명하는 것이 목표입니다. 2. 슈미트 트리거 회로 슈미트 트리거 회로는 일반적인 소자(V_ILmax, V_IHmin)와 다르게 V_TL, V_TH라는 threshold가 있습니다. 출력이 ...2025.05.09
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홍익대_대학물리실험2_휘트스톤브릿지_보고서A+2025.01.151. 옴의 법칙 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고, 저항(R)에 반비례한다. 이를 수식으로 표현하면 I = V/R이고 이를 변형하면 V = IR, R = V/I이다. 저항이 일정하면 이와 같은 관계 그래프가 성립한다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 회로에 흐르는 전류와 고리에 걸리는 전압에 대해 서술한 법칙이다. 제 1법칙(분기점 법칙)은 어느 회로에 있어서 분기점에 들어오는 전류는 나가는 전류와 같다. 제 2법칙(고리 법칙)은 닫힌 회로에서 각 소자를 지나갈 때 전위차의 합은 0이 된다. 3. 휘트스톤 브리지 ...2025.01.15
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