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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기3 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 영전위 검출 회로 그림 1-1의 영전위 검출 회로에서 (-) 반주기 전압이 출력되려면 회로를 수정하여 +5V에 연결된 50k옴 저항을 -5V에 연결하거나, +와 -단자를 반대로 연결하면 된다. 2. 윈도우 비교기 회로 그림 2의 윈도우 비교기 회로에서 입력 전압이 -0.1~0.1V일 때 출력 전압이 High가 되도록 하려면 위쪽 비교기와 아래쪽 비교기에 모두 전압분배로 0.1V가 걸리도록 저항을 바꿔주면 된다. 또는 저항을 49k, 1k옴으로 설정하여 비교기에 걸리는 전압을 조절할 수 있다. 3. 슈미트 트리거 회로 그림 3의...2025.01.29
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[기초전자실험 with pspice] 04 옴의법칙 결과보고서 <학점 A+ 받음>2025.04.281. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 확인하고 전압과 전류의 관계, 저항에 따른 전류의 변화를 이해하였다. 실험 과정에서 전류 측정 방법에 대한 주의가 필요하다는 것을 깨달았다. 2. 전압-전류 관계 실험 결과에 따르면 전압이 증가할수록 전류가 증가하는 비례 관계를 확인할 수 있었다. 특히 3V에서 4.2193 mA, 9V에서 14.910 mA로 전압 3배 증가 시 전류도 약 3배 증가하는 것을 확인하였다. 3. 저항에 따른 전류 변화 저항값이 작을수록 전압 증가에 따른 전류 증가 폭이 크고, 저항값이 클수록 전류 증가 폭이 작...2025.04.28
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직류회로에서의 계산 결과 레포트2024.12.311. 브릿지 회로 브릿지 회로는 R1*Rx=R2*R3라는 식이 성립할 때 두 단자 a, b사이의 전압이 0이 되고, 휘이스톤 브릿지가 형성된다. 본 실험에서는 R1과 R2를 1kΩ으로 통일하여 Rx와 R3의 선형적인 특성을 관찰했다. 휘이스톤브릿지 조건에서 Rx라는 미지의 저항을 저항 측정기 없이 계산하면 Rx=R3이고 가변저항의 98Ω이라는 저항값이 Rx이다. 단, Rx의 실제 저항값은 100Ω이며 이에 대한 오차는 고찰에서 다룬다. 2. Y-Δ 회로 변환 직접 계산한 등가저항은 999.5Ω이며 측정값과 거의 유사하다. 또한 Δ>...2024.12.31
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기초 회로 실험 제 12장 병렬회로의 저항(예비레포트)2025.01.211. 병렬회로의 저항 이번 실험에서는 I(T) = I1 + I2 + I3 라는 사실을 근거로 옴의 법칙을 활용하여 가지 저항들과 총 저항 사이에는 어떤 관계가 있는지를 살펴볼 것이다. 병렬회로에서 전압 V에 연결된 저항 R(T)는 I(T)로 제한되며, 옴의 법칙에 의해 등가 저항을 구할 수 있다. 또한 병렬회로에서 V에 연결된 직렬 회로를 끊고 전류계를 연결하면 총 전류를 측정할 수 있으므로 옴의 법칙에 의해 R(T) = V/I(T)를 통해 등가저항을 구할 수 있다. 병렬로 연결된 저항 사이에는 1/R(T) = 1/R1 + 1/R2...2025.01.21
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A+ 전자회로설계실습_Oscillator 설계2025.01.211. OP-Amp를 이용한 Oscillator 설계 이 실습에서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator(신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형을 학습합니다. 주어진 조건에서 T1=T2=0.5ms가 되도록 Oscillator 회로를 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 전압(vo), 반전 입력 전압(v-), 비반전 입력 전압(v+)의 파형을 확인합니다. 또한 T1, T2, 문턱 전압 VTH, VTL의 값을 측정합니다. 설계...2025.01.21
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일반물리실험 Ohm의 법칙 실험 결과 보고서2025.01.271. Ohm의 법칙 이번 실험을 통해 Ohm의 법칙을 이해하고, 직렬 또는 병렬 회로에서의 저항과 전압이 흐르는 규칙에 대해 알아보았다. 전압(V)를 2~10V까지 2V 간격으로 전류를 측정하고, 이를 그래프로 그려 전압-전류 그래프의 기울기와 등가 저항 관계가 역수 관계임을 알 수 있었다. 또한 직렬 회로의 전압 분배 법칙과, 병렬회로일 때 병렬로 연결된 모든 저항이 걸리는 전압이 서로 동일하다는 것을 실험을 통해 확인할 수 있었다. 2. 직렬 회로 직렬 회로에서는 전압 분배 법칙에 의해, 각 저항에 걸리는 전압의 합은 전체 전압...2025.01.27
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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기초 회로 실험 제 21장 최대 전력전송 (결과레포트)2025.01.211. 직류전원과 부하 사이의 전력전송 직류전원이 일정한 경우 부하 저항이 증가를 할수록 직류전원의 전력이 감소를 한다. 그리고 P(L) = [V(PS)/{R(C) + R(L)}]^2 x R(L)에 의해 부하저항에 전달되는 전력은 부하의 저항의 크기에 따라 달라진다. 이때 부하저항에 전달되는 전력의 크기는 부하저항의 크기가 전원의 저항과 같을 때 전력이 가장 크다. 2. 최대 전력전송 조건 표 21-3을 통해 부하의 저항을 0Ω에서 102.04mW인 전원 공급 전력을 10kΩ까지 증가시킬 때 전원 공급 전력이 10kΩ에서 9.10mW...2025.01.21
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