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아주대학교 A+전자회로실험 실험4 예비보고서2025.05.091. 정궤환 회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용하여 정궤환 회로를 구성하고, 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로, 사각파 발생 회로의 구성과 역할에 대해 알아보는 것입니다. 회로를 구성하여 각 경우에 대한 V_TL, V_TH, +V_sat, -V_sat을 측정하여 이들이 의미하는 바를 알아보고, 이론에서 배운 내용을 실험을 통해 증명하는 것이 목표입니다. 2. 슈미트 트리거 회로 슈미트 트리거 회로는 일반적인 소자(V_ILmax, V_IHmin)와 다르게 V_TL, V_TH라는 threshold가 있습니다. 출력이 ...2025.05.09
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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열역학 과정에 대한 연속방정식과 제 1 법칙 유도2025.05.011. 연속방정식 연속방정식은 전 과정이 t 시간 동안 발생할 때 {dm_{c.m.}} over {dt} + SIGMA m_{e} - SIGMA m_{i=0}으로 주어진다. 이 식은 t 시간 동안 들어오고 나가는 총 질량이 int_{0}^{t} {} (SIGMA m_{e})dt = SIGMA m_{e}와 int_{0}^{t} {} (SIGMA m_{i})dt = SIGMA m_{i}임을 나타낸다. 과도 과정에서의 연속방정식은 (m_{2} - m_{1})_{c.m.} + SIGMA m_{e} - SIGMA m_{i=0}이다. 2. 열역...2025.05.01
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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화학전지실험과 금속 간 산화 환원 반응, Nernst epuation2025.05.101. 금속의 이온화 경향과 표준 환원 전위의 상관관계 금속의 이온화 경향은 금속이 전자를 잃어(산화되어) 양이온이 되려하는 경향을 말한다. 이 금속의 이온화 경향이 크다는 것은 산화되기 쉽다는 것이고, 따라서 (-)극이 될 것이다. 또한 이온화 경향이 작을수록 (+)극이 될 것이다. 실험에서 사용한 금속의 이온화 경향을 비교하면 Zn>Fe>Cu이다. 이는 Zn이 가장 산화되기 쉽다는 것을 의미한다. 표준 환원 전위는 표준 수소 전극과 환원이 일어나는 반쪽 전지를 결합시켜 만든 전지에서 측정한 전위인데, 이 값이 클 수록 환원되기 쉽...2025.05.10
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 예비보고서2025.05.091. 미분기 미분기는 입력 신호 파형의 시간 미분에 비례하여 출력을 발생하는 기능을 갖는다. 주파수 영역에서 분석하면 입출력 관계식은 V_o/V_i = -R_F/(R_s + 1/jωC)이며, ω→∞이면 V_o/V_i = -R_F/R_s가 된다. 따라서 입력 신호의 주파수가 cutoff frequency f_c = 1/(2πR_sC)보다 낮은 주파수에서만 미분기로 작용한다. 이보다 높은 주파수에서는 반전 증폭기가 된다. 미분기는 펄스 응답에서 직렬 RC 회로로, 주파수 응답에서 고역 통과 필터로 사용된다. 2. 적분기 적분기는 입력 ...2025.05.09
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 예비보고서2025.04.251. 건전지의 내부저항 측정 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였습니다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 전력 소비를 최소화하도록 하였습니다. 측정 절차는 DMM의 검은 선을 COM단자, 빨간 선을 V단자에 연결하고 측정 단위를 V로 맞춘 후, DMM과 10Ω 저항을 병렬로 연결하여 전압 V를 측정합니다. 이 값을 식 'Vr * Vb / (Vb - Vr)'에 대입하여 건전지의 내부저항 Rb를 구할 수 있습니다. 10Ω 저항에 소비되는 전력 P는 P = V^2 / R이 될 것입니다. 2. DC 전원 ...2025.04.25
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LPF와 HPF 설계 / 전기회로설계실습 예비보고서 중앙대 92025.05.021. LPF(Low Pass Filter) 설계 LPF 설계를 위해 cut-off frequency(f_c)가 15.92kHz이므로 w_c = 2π * f_c = 100.03krad/s이다. LPF에서 w_c = 1/RC이고 준비된 커패시터의 크기가 10nF이므로 R을 구하면 R = 1/(w_c C) = 999.7Ω(약 1kΩ)이다. 입력전압 v_IN = V_i cos(wt), V_i = 1V일 때 출력전압 V_o는 V_c와 같으므로 V_c = (V_i)/sqrt((2πf_cRC)^2 + 1) e^(j(-0-90°)), |V_c| ...2025.05.02
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서울시립대 화학및실험 화학 전지와 전기 화학적 서열2025.01.291. 전기화학적 서열 실험을 통해 아연이 구리보다 산화가 잘 되는 것을 확인하였다. 아연 수용액에 구리판을 넣었을 때는 반응이 일어나지 않았지만, 구리 수용액에 아연판을 넣었을 때는 Zn(s)+Cu^{2+}(aq) → Zn^{2+}(aq)+Cu(s) 반응이 일어나 아연판에 구리가 검게 흡착되었다. 이를 통해 아연이 구리보다 산화가 잘 된다는 것을 알 수 있다. 2. 화학 전지 실험에서 구리 전극과 아연 전극을 사용하여 화학 전지를 만들었다. 전극 사이의 전위차를 측정한 결과 0.832V로 나왔으며, 이론적인 예상값은 1.10V였다....2025.01.29
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