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서지보호장치(SPD)의 설계 및 적용 기준2025.05.111. 뇌서지 보호 시스템의 기본구성 SPD는 피뢰시스템의 등전위본딩 중 하나의 수단으로 볼 수 있다. 2. SPD 설치여부 및 등급선정 KS C IEC 62305-4에 따라 구조물의 피뢰 보호구역을 구분하고 그 경계부분에는 KECG-9102에 적합한 SPD를 설치한다. LPZ 0 ▶ 1 위치 = 1등급 SPD 선정, LPZ 1 ▶ 2 위치 = 2등급 SPD 선정, LPZ 2 ▶ 3 위치 = 3등급 SPD 선정. 3. 최대 연속사용전압(Uc) 선정 Uc는 설치 위치의 전압과 접지계통에 따라 Uo x 1.1배~최대 선간 전압 이상을 요...2025.05.11
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험 결과레포트_ 9. 병렬회로2025.05.131. 병렬회로 실험 결과를 통해 병렬회로의 특징을 알 수 있었다. 병렬회로에서 저항이 더해지면 합성저항값이 감소하고, 모든 저항소자에 같은 전압이 걸린다. 또한 키르히호프의 전류법칙이 성립하여 총 전류가 각 가지전류의 합과 같다는 것을 확인했다. 마지막으로 고장난 병렬회로에서 개방된 가지의 전류가 0A이 되어 총 전류가 감소하는 것을 관찰했다. 2. 합성저항 병렬회로에서 저항 R1, R2, ..., Rn을 병렬로 연결했을 때의 합성저항값은 1/Rc = 1/R1 + 1/R2 + ... + 1/Rn 으로 계산할 수 있다. 실험 결과에서...2025.05.13
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사이리스터 예비보고서2025.01.121. 사이리스터의 구조 사이리스터는 p-n-p-n 접합의 4 층으로 이루어진 반도체 소자이다. 반도체 소자의 일종으로 반도체 스위치로 취급한다. 다이오드와 형태가 비슷하지만 다이오드보다 핀 하나가 더 있으며, 그 핀으로 인해 정방향 뿐만 아니라 역방향으로도 전류가 흐르게 만들면서 교류를 생산할 수 있다. 2. 사이리스터의 동작원리 사이리스터는 제어단자(G, Gate)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A,Anode)과 음극(K,Cathode) 사이를 도통시킬 수 있는 3 단자의 단방향 반도체 소자이다. 게이트에 일정한 ...2025.01.12
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RLC 병렬회로 예비보고서2025.01.121. RLC 병렬회로 RLC 병렬회로에 대하여 페이저 해석을 이용하여 전달함수를 구하고, 진폭응답특성과 위상특성을 고찰한다. 진폭응답특성곡선을 이용하여 RLC 병렬회로의 공진특성(대역폭, 차단주파수 양호도) 등을 다룬다. 2. 전달함수 RLC 병렬회로에서, 입력전류에 대한 출력전압의 비율을 표시하는 전달함수를 구한다. 진폭응답과 위상응답도 구한다. 3. 공진특성 주어진 입력전류에 대하여 최대의 전압이 흐르게 하려면 임피던스가 최대가 되어야 한다. 이러한 주파수를 입력하였을 경우, RLC 병렬회로에서 출력이 최대가 되는 현상을 공진이...2025.01.12
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기계안전방호장치 및 대책에 대하여 설명하시오2025.01.181. 아시틸렌 용접장치 및 가스집합 용접장치용 안전기 아시틸렌 용접장치와 가스집합 용접장치는 고온 화염을 발생시켜 용접 작업을 수행하는데, 이로 인해 작업자는 화재, 폭발, 인체 화상 등의 위험에 노출될 수 있습니다. 안전기는 작업자와 용접장치 간의 전기적 접촉을 차단하여 용접 작업 중 발생할 수 있는 각종 위험을 예방하는 역할을 합니다. 아시틸렌 용접장치용 안전기로는 화염감지기, 가스검출기, 화염탐지기 등이 있으며, 가스집합 용접장치용 안전기로는 초전도형 자기차단기, 과전류 차단기 등이 있습니다. 2. 교류 아크 용접기용 자동전격...2025.01.18
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분전반의 정의와 형식, 거터 스페이스, 브레이크식 분전반, 직류 발전기의 구성 및 역할2025.05.111. 분전반의 정의와 형식 분전반은 전력계통에서 부하전류를 개폐하거나 제어하는데 사용되는 기기로서 일반적으로 옥내 또는 옥외에 설치된다. 분전반에는 차단기, 개폐기, 퓨즈 등 각종 보호장치들이 내장되어 있어 여러 가지 용도로 사용되고 있다. 분전반은 크게 고정형과 이동형, 단상교류전원 방식과 3상교류전원 방식으로 구분된다. 2. 거터 스페이스 거터 스페이스란 건물 내부 바닥면으로부터 일정 높이 이상 떨어진 곳에 설치된 공간을 말한다. 거터 스페이스는 건축법상 용도별 면적 산정 시 제외되며, 사무실, 창고, 주차장 등 다양한 용도로 ...2025.05.11
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