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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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홍익대 디지털논리실험및설계 9주차 예비보고서 A+2025.05.161. 8-bit Serial-in Parallel-out Shift Register 74164 8-bit Serial-in Parallel-out Shift Register 74164의 회로도에서 MR'는 D Flip-flop의 clear와 연결되어 회로를 reset 시킨다. Active-LOW이므로 MR'이 0이 되면 모든 Q값이 0을 출력하고, 1이 되면 정상적인 Shift Register으로 작동한다. 입력은 A와 B로 나누어져 있는데, 이는 A와 B 중 하나의 입력을 Enable처럼 이용하기 위해서이다. A에 GND를 연결하...2025.05.16
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P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
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Preparation and Characterization of an X-type Zeolite 예비레포트2025.05.051. 제올라이트의 구조와 특성 제올라이트는 규산 알루미늄(xAl2O3.ySiO2.zH2O)의 한 종류로, 일반식은 Mx/n[(AlO₂)x?(SiO₂)y]?zH₂O이다. (AlO₄)⁵-와 (SiO₄)⁴-가 산소 원자를 공유하며 연결되어 3차원적인 결정 구조를 형성한다. 제올라이트는 결정성 알루미노 규산염의 총칭이며, 천연에서 산출되는 제올라이트는 양이온 교환 특성을 이용한 경수 연화제 외에 별다른 용도가 없었으나, 1950년대 이후 합성 제올라이트가 개발되면서 다양한 용도로 활용되고 있다. 2. 제올라이트의 이온 교환 및 흡착 특성 ...2025.05.05
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Metallization (반도체)2025.05.081. Contacts Contacts는 반도체 내부로 전기 신호가 들어가고 나오게 하는 역할을 합니다. Schottky 접합과 ohmic 접합이 있으며, Schottky 접합은 p-n 접합과 유사하고 ohmic 접합은 V=IR 관계를 따릅니다. 2. Interconnects Interconnects는 칩 내의 다양한 소자와 구성 요소를 연결하는 역할을 합니다. 박막 증착 기술로는 물리적 기상 증착(증발), 스퍼터링, 화학 기상 증착 등이 있습니다. 3. Physical Vapor Deposition (PVD) PVD는 진공 환경에서...2025.05.08
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.301. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 목적: N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, Current Mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 Vcc=VDD=10V, IREF=10mA인 전류원을 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 전압, 전...2025.04.30
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MBTI와 학업 성취도의 상관관계 분석2025.01.031. MBTI와 학업 성취도 이번 연구에서는 MBTI 유형에 따른 학업 성취도의 차이를 조사하였습니다. 고등학생 12명을 대상으로 MBTI 검사와 내신 성적 조사를 실시한 결과, MBTI 유형과 학업 성취도 간에는 유의미한 상관관계가 없는 것으로 나타났습니다. 학업 성취도는 개인의 노력 등 다른 요소에 의해 좌우되는 것으로 확인되었습니다. 1. MBTI와 학업 성취도 MBTI(Myers-Briggs Type Indicator)는 개인의 성격 유형을 파악하는 도구로, 이것이 학업 성취도와 어떤 관련이 있는지에 대해서는 다양한 연구 결...2025.01.03
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응급실, 중환자실에서 사용하는 주요약물 mix 방법 및 용량2025.01.291. Tivare Tivare는 1 mg/1 vial 또는 5 mg/1 vial로 제공됩니다. Tivare 1 mg x 2 vial + N/S 100 ml를 혼합하면 1 ml당 0.02 mg의 농도가 되며, mcg/kg/min (0.02~0.2) 범위로 사용할 수 있습니다. Tivare 1 mg x 2 vial + N/S 50 ml를 혼합하면 2 ml당 0.04 mg의 농도가 되고, Tivare 1 mg x 4 vial + N/S 50 ml를 혼합하면 1 ml당 0.08 mg의 농도가 됩니다. 2. Vascam Vascam은 5 m...2025.01.29
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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 예비보고서2025.05.091. Class Amplifier Class A 증폭기는 입력 신호의 전체 위상(0~360DEG)을 모두 증폭할 수 있으며, 왜곡 없이 증폭되므로 선형성이 매우 잘 유지된다. 하지만 DC 전력소모가 커서 전력 효율이 낮다. Class B 증폭기는 각 트랜지스터가 입력의 50% 위상(180DEG)만 증폭하며, DC current path가 없으므로 전력 효율이 좋다. 하지만 출력 파형의 왜곡이 심하다. Class AB 증폭기는 Class B 증폭기의 crossover distortion을 막기 위해 무신호 시에도 약간의 bias를 걸...2025.05.09
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