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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. MOSFET and TFET MOSFET는 낮은 전압에서 on/off 특성이 좋지 않고 subthreshold swing이 높은 단점이 있다. 반면 TFET는 낮은 전압에서도 on 상태를 유지할 수 있고 대기 전력이 낮은 장점이 있지만 단방향 특성과 지연 시간이 길다는 단점이 있다. 2. TFET Modeling TFET는 커패시터, 다이오드, 저항으로 구성된 단방향 소자이다. 드레인 전류 매개변수, 커패시턴스 매개변수 등 다양한 매개변수를 사용하여 TFET을 모델링할 수 있다. 3. Hybrid GAA Characterist...2025.05.10
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. TFET 디바이스 및 특성 TFET는 밴드-대-밴드 터널링 메커니즘을 사용하여 MOSFET의 60mV/decade 한계를 극복할 수 있는 초저전력 애플리케이션의 유망한 후보로 부상했다. TFET 디바이스의 단방향 전류 전도 특성과 낮은 온전류로 인해 SRAM 셀의 견고성이 저하되는 문제가 있다. 이 논문에서는 TFET 회로 스위칭/출력 특성/성능과 기본 물리학을 자세히 분석하고, SRAM의 평가 요소인 SNM을 조사하고 표현한다. 또한 TFET와 MOSFET을 함께 사용하는 하이브리드 GAA 6T SRAM을 제안한다. 2. S...2025.05.10
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전류원 및 전류 미러 회로 예비결과보고서2025.01.021. 전류원 전류원(current source)는 상황에 관계없이 항상 일정한 전류를 보내려고 하는 회로를 의미한다. 이상적인 전류원의 경우 상황에 영향을 받지 않겠지만 현실에서는 상황에 따라 전류에 영향을 주기도 한다. 대표적인 전류원으로 BJT, FET가 있다. 전류원의 내부 임피던스(Zin)가 작을수록 좋으며, 내부 임피던스는 최대한 크게 해줄수록 좋다. JFET 전류원은 드레인-소스 포화전류에서 동작하도록 바이어스된 JFET를 사용하며, BJT 전류원은 트랜지스터의 특성을 이용하여 구현한다. 2. 전류 미러 전류 미러는 한쪽...2025.01.02
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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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MOSFET 실험 2-Single Stage Amplifier 1_예비레포트2025.01.121. MOSFET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. MOSFET은 N형 반도체나 P형 반도체 재료의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 NMOSFET이나 PMOSFET, 두 가지를 모두 가진 소자를 CMOSFET(Complementary MOSFET)으로 분류합니다. MOSFET은 축전기에 의한 전하 농도의 변화에 기초를 두고 있으며, 두 개의 단자(소스와 드레인)는 각각 ...2025.01.12
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2023-1 정보소자물리실험 레포트2025.05.111. 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 박막 트랜지스터는 박막 증착에 의해 만들어진 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. 박막 트랜지스터는 OLED나 LCD와 같은 디스플레이의 제작에 사용되고, 한 픽셀의 액정 배열 상태를 조절해 픽셀의 색을 결정하는 역할을 합니다. 박막 트랜지스터는 게이트, 소스, 드레인으로 구성되며, 게이트 전압에 의해 통제되는 전류 흐름을 이용하여 작동합니다. 2. IGZO IGZO는 Indium, Gallium, Zinc, Oxide의 준말입니다. 규소반도체 기반의 박막 트랜지...2025.05.11
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석에는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 포함된다. 다단 증폭기는 높은 전압 이득을 얻을 수 있지만, 주파수 응답 저하, 잡음 증폭, 왜곡 등의 문제가 발생할 수 있으므로 이러한 요소들을 고려하여 설계해야 한다. 2. 공통 소스 증폭기 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 ...2025.01.29
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.131. 저항 저항의 목적은 다양하게 있다. 첫 번째로 전압을 분배하는 것이다. 전력의 일부를 소비하지만 외부 회로 혹은 시스템이 정상적으로 작동할 수 있게 전위차를 발상시킨다. 두 번째로 바이어싱이다. BJT, FET, TR, 전자관에서는 바이어스가 한쪽 극 또는 접지 반대 부분 극에 의도하여 직류 전압을 가한다. 저항기 회로는 바이어스 기능을 수행할 수 있게 한다. 세 번째로 전류의 제한이다. 무선 신호를 수신하게 설계된 민감한 증폭기에 활용되거나 전원 공급기, 배터리 출력과 직렬로 연결이 이루어진 전류의 제한이다. 트랜지스터가 과...2025.05.13
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