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전자공학응용실험 ch20 차동증폭기 기초실험 예비레포트2025.05.051. 차동 증폭기 기초 실험 차동 증폭 회로는 출력이 단일한 단일 증폭 회로에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스 및 커플링 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱 하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링 할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀 더 용이하여 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. ...2025.05.05
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[A+] 일반 논리게이트 응용 예비보고서2025.05.131. 일반 논리 게이트 실험 목적은 OR Gate, AND Gate, NOT Gate, NAND Gate, NOR Gate, XOR Gate와 같은 논리회로의 기본 게이트들의 기본 논리, 이론, 동작 원리를 공부하고 이해하는 것입니다. 특히 NAND Gate, NOR Gate, XOR Gate에 대해 집중적으로 실험하고 동작 원리를 이해하는 것이 목적입니다. 또한 이러한 논리 게이트들을 이용하여 논리식을 구현하고 진리표를 작성하며 동작을 확인하고 특성을 알아보는 것입니다. 2. 양의 논리와 음의 논리 부울 논리에서 1과 0은 조건을...2025.05.13
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SOC(software on chip) 조사하시오2025.01.121. SOC(System on Chip) SOC(System on Chip)은 하나의 칩에 컴퓨터 시스템의 대부분 또는 모든 구성 요소를 통합하는 반도체입니다. CPU, GPU, 메모리, 인터페이스 등 다양한 기능을 가진 블록들이 하나의 칩에 집적되어 있어 크기가 작고 전력 소비가 적으며 저렴한 가격으로 생산될 수 있다는 장점이 있습니다. 최근 스마트폰, 태블릿, 사물 인터넷(IoT) 기기 등 모바일 및 임베디드 시장의 성장과 함께 SOC 기술 또한 빠르게 발전하고 있습니다. 2. SOC의 역사 SOC는 1980년대에 처음 등장했습...2025.01.12
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방통대 출석대체시험 컴퓨터구조 요약본2025.01.261. 컴퓨터 세대별 발전과정 컴퓨터 세대별 발전과정은 1세대 - 진공관(어셈블리어 일괄처리), 2세대 - 트랜지스터(고급언어 실시간처리), 3세대 - 직접회로[IC](시분할처리), 4세대 - LSI(인공지능 전문가시스템), 5세대 - VLSI(병렬처리, 자연언어처리)로 설명되어 있습니다. 2. 기본 연산회로 기본 연산회로에는 가산기(덧셈), 감산기(뺄셈), 승산기(곱셈), 제산기(나눗셈)이 포함됩니다. 3. MSI(Medium Scale Integrated circuits) MSI(Medium Scale Integrated circ...2025.01.26
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
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학과소개-반도체공학과2025.05.101. 반도체공학과 개요 반도체 기술은 컴퓨터, 자동차, 스마트폰 등 다양한 전자 제품의 작동에 핵심적인 역할을 합니다. 반도체공학과에서는 반도체, 디스플레이, 스마트폰, 자동차 등 국가 핵심 산업과 나노, 에너지, 바이오, 항공우주, 웨어러블, IOT, 인공지능, 자율주행 등 신성장 동력 산업에 필요한 핵심 부품 및 시스템 설계, 생산 기술, 공정 및 장비 등에 대한 지식과 기술을 교육합니다. 2. 관련 학과 반도체공학과, 반도체학과, 반도체과학기술학과, 디스플레이·반도체물리학부, 디스플레이반도체공학과, 물리반도체과학부, 반도체·디...2025.05.10
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.011. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 M2의 VGS와 R1 값을 계산합니다. (C) M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 구하고, (D) OrCAD로 IO = ...2025.05.01
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