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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 Oscillator 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 OrCAD PSPICE를 사용한 Oscillator 회로 설계, Feedback factor (β)와 Feedback 저항 (R)의 영향 분석 등이 포함되어 있습니다. 설계한 Oscillator 회로의 동작 원리와 파형 분석 결과가 자세히 설명되어 있습니다. 1. Oscillator 설계 Oscillator 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 정확한 주파수와 ...2025.01.11
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9주차_결과2025.01.131. 적외선 센서 회로 설계 이번 실험에서는 IR LED, 저항, 가변저항, 포토다이오드, LED, LM358(Op-amp), female pin header 등의 부품을 사용하여 적외선 센서 회로를 설계하였습니다. Eagle CAD 프로그램을 이용하여 회로 schematic을 구현하고, ERC(Electrical Rule Check)를 통해 회로의 안정성과 신호 무결점을 검증하였습니다. 이를 바탕으로 PCB 보드를 설계하였으며, 효율성과 경제성을 고려하여 소자 배치와 배선을 최적화하였습니다. 또한 DRC(Design Rule Ch...2025.01.13
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물리화학 문제풀이-상태변수,경로변수,기체의 상태방정식,이상기체의 열용량,열역학 제2법칙,엔트로피2025.05.011. 상태 변수와 경로 변수 상태 변수(P, V, T, U)는 정해진 값이며 경로와 상관없이 처음 상태와 마지막 상태에만 의존한다. 경로 변수(q, w)는 경로에 따라 달라지는 값이며 경로를 specify하여 상태 변수로 바꿀 수 있다. 2. 기체의 상태방정식 기체의 부피는 온도와 압력에 따라 매우 다르며, 기체의 종류와는 상관없다. Van der Waals 방정식은 이상기체 방정식을 보완한 식으로, 각 기체에 특이적인 parameter를 사용한다. 이상기체에서는 인력과 고유부피가 상온 근처에서 없기 때문에 pV=nRT 식이 성립한...2025.05.01
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 4. 신호발생기 A+2025.01.291. Wien bridge 회로 설계 주어진 Wien bridge 회로에서 V+와 V-의 관계식을 구하고, 1.63 kHz에서 발진하는 Wien bridge 회로를 설계하였습니다. 발진 조건을 만족하는 R1, R2 값을 계산하여 회로를 구현하였고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT plot을 확인하였습니다. 2. Wien bridge oscillator 안정화 다이오드를 사용하여 Wien bridge oscillator를 안정화하는 회로를 설계하였습니다. 대신호에서 다이오드 하나가 Forward bias되어 피드백 저항과 Op ...2025.01.29
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 4. 신호발생기2025.04.291. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기를 이용하여 신호 발생기를 설계, 제작, 측정하며 그 동작을 확인하는 실습을 수행했습니다. 실습에서는 Wien bridge 회로의 전압 분배 관계식을 구하고, 이를 이용하여 1.63 kHz에서 발진하는 회로를 설계했습니다. 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT 분석 결과를 확인하여 목표 주파수와의 오차율을 확인했습니다. 2. 신호 발생기 안정화 다이오드를 사용하여 Wien bridge oscillator를 안정화하는 회로를 설계했습니다. 다이오드는 Op amp의...2025.04.29
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울산대학교 전기전자실험 13. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. JFET 전류원 JFET을 이용한 회로에서 부하저항을 20Ω, 100Ω, 150Ω으로 변경해가며 전류를 측정했을 때 10.1mA, 10.3mA, 10.2mA으로 저항값의 변화에도 관계없이 약 10mA의 전류를 공급해줄 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 JFET 전류원 회로가 부하저항 변화에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 공급할 수 있음을 보여준다. 2. BJT 전류원 BJT를 이용한 회로에서 부하저항을 3.6kΩ과 5.1kΩ으로 변경하면서 전류를 측정했는데 두 회로 모두 1.04mA의 전류가 측정되었다. 이를 통해 B...2025.01.12
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계2025.04.291. 저항 측정 실험을 통해 단일 고정 저항과 병렬 연결된 합성 저항의 측정값을 확인하였다. 단일 저항의 경우 오차율이 0.7% ~ 2.1% 이내로 나타났고, 병렬 연결 저항의 경우 오차율이 더 작아졌다. 이를 통해 저항 측정 시 허용오차 범위 내에 있음을 확인할 수 있었다. 2. 가변 저항 측정 가변 저항의 경우 가운데 단자와 양쪽 단자 사이의 저항값을 더하면 양쪽 단자 사이의 저항이 나온다는 것을 확인하였다. 이를 통해 가변 저항의 동작 원리를 이해할 수 있었다. 3. 2-wire 측정법과 4-wire 측정법 비교 저항 값이 작...2025.04.29
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Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 R_{sig} =50 ohm, R_{L} =5k ohm, V_{CC} =12V 인 경우, B=100인 NPN BJT를 사용하여 R_{in}이 k ohm 단위이고 amplifier gain(v_{o} /v_{in})이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 회로 설계, 시뮬레이션, 측정 및 특성 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. Common ...2025.04.27
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
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