총 99개
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
-
전자회로설계실습 5차 예비보고서2025.05.101. BJT와 MOSFET을 이용한 구동(switch) 회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에서는 BJT와 MOSFET 회로의 설계 과정과 계산, 그리고 회로 측정 방법 등을 자세히 설명하고 있습니다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(VF = 2 V, IF = 20 m...2025.05.10
-
전력용커패시터의 구조와 부속기기2025.05.101. 전력용 커패시터의 구조 전력용 커패시터는 주로 수·변전 계통에 이용되는 전기설비로, 지상 무효전력을 보상하기 위해 전력용 커패시터 본체, 외장품, 절연유 등으로 구성되어 있다. 전력용 커패시터는 △결선, Y결선 등의 방식으로 3상 결선될 수 있으며, △결선이 Y결선에 비해 경제적이다. 과보상 시에는 모선전압 상승, 송전손실 증가, 고조파 증대 등의 문제가 발생할 수 있다. 2. 전력용 커패시터 부속기기 전력용 커패시터 회로에는 직렬리액터와 방전코일이 사용된다. 직렬리액터는 고조파 전류에 의한 계전기류 오동작 억제, 돌입전류 제...2025.05.10
-
기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
-
항공전자계기의 종류별 구성 및 작동기능에 대하여 설명하시오2025.01.131. ADC (Air Data Computer) 고성능으로 운항하는 운송용 제트 항공기의 동·정압계통은 좀 더 복잡할 것이다. 고고도 비행하는 항공기의 외기온도는 영도 이하가 되는데 동압공에 들어오는 공기의 압축도는 저고도의 공기압축도와 다르다. 고속 및 고고도에서 온도에 따라 압력이 변하게 되어 있다. 동체 주변에 공기의 흐름이 변하면 정압 또한 변하게 되어 있다. 이 때 정확한 정압의 값을 얻으려면 공기 온도 및 공기의 밀도를 보상하는 동·정압 계통이 필요하다. 대부분의 아날로그 계기들은 자체에 보상하는 장치가 내장되어 있었지만...2025.01.13
-
RC 정현파 발진 회로 실험 결과보고서2025.01.041. RC 정현파 발진 회로 이번 실험의 목표는 윈브릿지 발진기 회로의 특성을 이용하여 RC 발진회로의 개념을 이해하고 발진기의 공진주파수를 알아보는 것입니다. 실험 결과, 정귀환 루프에서 Z1 = R4+XC, 1/Z2 = 1/R3 + 1/XC 관계식을 통해 V+/VO = {R3sC}/(R4sC + R4R3(sC)2 + 1 + sCR3 + sCR3)를 도출할 수 있었습니다. 이론적으로 계산한 공진주파수는 1.176kHz였지만, 실험 결과 1.078kHz로 약 100Hz 정도의 차이가 있었습니다. 이는 저항과 커패시터 값의 오차, 브...2025.01.04
-
전기전도도 측정2025.04.301. 전기전도도 전기 전도도는 물질 내에서 전류가 잘 흐르는 정도를 나타내는 양을 말한다. 전기저항의 역수로서, 단위는 S/m(지멘스미터)이다. 일반적으로 전기전도도는 전하를 운반하는 입자의 수, 그 하전량과 이동도의 곱에 비례한다. 이것들의 양은 전기적 조건·온도·압력·빛 등의 외적 조건에 의해서 변하고, 물질의 구조에 크게 좌우된다. 2. 전해질 용액 물 등의 용매에 녹였을 때 이온화하는 물질을 전해질이라고 하며, 이러한 전해질이 녹아있는 용액을 전해질용액이라 한다. 전해질용액에는 전하를 띤 이온이 있어 전기가 잘 통하며, 이때...2025.04.30
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
-
중앙대학교 다이오드 결과 보고서2025.01.291. Si 다이오드 DC 특성 Si 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 2. Ge 다이오드 DC 특성 Ge 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. Ge 다이오드는 Si ...2025.01.29
-
중앙대학교 전자회로설계실습 3주차 Voltage Regulator 설계2025.01.121. 전해콘덴서 전해콘덴서는 미리 단락해서 방전시킨 후에 충전방향을 예상해서 극성에 맞게 연결하여 회로를 구성한다. 이때 실습계획서에서 설계한 값을 사용한다. 2. 전압 조정 Function generator를 조정하여 A와 B 사이의 전압파형이 실습계획서에서 구한 값이 되도록 한다. 1. 전해콘덴서 전해콘덴서는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전해콘덴서는 전압 평활화, 바이어스 전압 제공, 결합 및 차단 등의 기능을 수행합니다. 전해콘덴서는 극성이 있어 올바른 극성으로 연결해야 하며, 과전압이나 과전류에 주의해야 합니다...2025.01.12
