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[A+] Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.161. 센서 측정 및 등가회로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출한다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 설명한다. 2. Inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Inverting Amplifier를 사용하여 증폭하는 방법을 설명한다. 3. Non-inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Non-inverting Ampli...2025.05.16
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서72025.01.171. 논리 게이트 회로 구현 논리 게이트 소자를 이용하여 NAND, NOR, XOR 게이트 회로를 구현하고 진리표와 실험 결과를 비교하였다. NAND 게이트만을 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성할 수 있음을 확인하였다. 또한 NAND, NOT 게이트를 사용하여 3입력 NAND 게이트의 등가회로를 구성할 수 있음을 확인하였다. 2. 게이트 회로의 시간 지연 측정 AND 게이트와 OR 게이트를 직렬로 연결하고 구형파를 입력하여 시간 지연을 측정하였다. 게이트 개수가 증가할수록 시간 지연이 길어지는 것을 확인하였다...2025.01.17
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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 결과보고서7 논리함수와 게이트2025.05.151. 논리 게이트 이번 실습에서는 기본적인 AND, OR, NOT 게이트를 이용하여 NAND, NOR, XOR 게이트를 구성하고, 진리표의 결과를 확인하였습니다. 또한 NAND와 NOT 게이트만을 이용하여 AND, OR, NOT 게이트 등의 여러 종류의 게이트를 등가적으로 구성하는 과정도 포함되어 있었습니다. 이를 통해 Digital 회로의 가장 기본적인 게이트의 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. 게이트 지연 시간 측정 AND 게이트와 OR 게이트를 각각 여러 개 직렬로 연결하고 오실로스코프의 2개 채널에 입출력을 연결한 다음, ...2025.05.15
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홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서2025.04.261. CS Amp 설계 CS Amp 설계 시 전압이득 20 정도를 얻기 위해 M2 NMOS TR의 W/L 크기와 Vb 바이어스 전압을 조절하였다. M2가 Current Source로 동작할 수 있도록 VDS에 따른 전류 변화가 작은 조건을 찾았으며, 전압이득을 높이기 위해 M1 PMOS TR의 W 크기를 조절하였다. 최종적으로 M2의 W/L을 0.6um, Vb를 0.62V로 설정하고 M1의 W를 0.4um로 설정하여 전압이득 22.4를 얻었다. 2. Transient 시뮬레이션 Vin에 1.86V DC 바이어스와 10mV Peak-...2025.04.26
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전력전자공학 설계된 값을 가지고 PSIM으로 시뮬레이션을 하여 설계 조건을 만족하였는지 확인하고 각부 파형2025.01.221. 승압 컨버터 설계 이번 설계 과제에서는 저항 부하에 일정한 전압을 출력하도록 하는 승압 컨버터를 설계하였다. 공급전압이 일정할 때 원하는 출력전압을 얻기 위해 인덕터와 커패시터를 설계하였으며, 설계된 컨버터의 동작을 PSIM 소프트웨어를 사용하여 시뮬레이션하고 각 부위의 파형을 분석하였다. 이를 통해 전력 변환의 원리를 깊이 이해하고 실제 설계와 시뮬레이션을 경험할 수 있었다. 2. 승압 컨버터의 동작 원리 승압 컨버터(Boost Converter)는 입력 전압보다 높은 전압을 출력하기 위한 DC-DC 변환기로, 스위치가 꺼져...2025.01.22
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RLC 회로 보고서2025.01.281. RLC 회로 RLC 회로에서 공진 현상이 일어나는 주파수 영역을 추정하고, 공진 주파수에서의 전압, 전류, 임피던스 등을 측정 및 계산하였다. 실험 결과를 토대로 RLC 회로의 특성을 이해할 수 있었다. 2. 공진 주파수 RLC 회로에서 공진 주파수는 유도성 리액턴스와 용량성 리액턴스가 서로 상쇄되어 임피던스가 최소가 되는 주파수이다. 실험을 통해 공진 주파수를 측정하고 계산하였으며, 공진 주파수에서의 전압, 전류, 임피던스 등의 특성을 분석하였다. 3. 전류-주파수 그래프 전류-주파수 그래프는 공진 주파수를 기준으로 대칭적인...2025.01.28
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+7주차 예비보고서2025.01.131. 정류회로 설계 Transformer 동작 이해하기, Diode 동작 이해하기, Ripple 이해하기 2. Buck-Converter 설계 Switch 동작 이해하기, DC-DC converter 이해하기 3. PSPICE 및 빵판을 이용한 실험을 통한 이론 검증 PSPICE를 통해 Full Wave Rectifier와 Buck Converter 회로를 구현하고 실험을 통해 이론을 검증하였음 1. 정류회로 설계 정류회로 설계는 전력 전자 분야에서 매우 중요한 주제입니다. 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 역할을 하며...2025.01.13
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옴의 법칙과 키르히호프 전압 및 전류 법칙_결과 보고서2024.12.311. 옴의 법칙 옴의 법칙 실험에서 저항의 측정값과 계산값 간의 오차는 0.50%와 0.10%로 나타났습니다. 이는 주변 온도 변화, 저항 자체의 내부 오차, 실험 장치의 오류 등이 원인으로 분석됩니다. 더 정밀한 실험을 위해서는 저항 값 측정의 정확성 향상, 온도 유지, 회로 구성의 최적화 등이 필요할 것으로 보입니다. 2. 키르히호프 전압 법칙 키르히호프 전압 법칙 실험에서 0.25%의 오차가 발생했습니다. 이는 옴의 법칙 실험에서 발생한 오차, 회로 내 저항, 온도 변화 등이 원인으로 분석됩니다. 더 정밀한 실험을 위해서는 저...2024.12.31
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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