총 744개
-
전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. [그림 10-1]은 가장 기본적인 전...2025.01.13
-
논리 모델이 사회복지에서 중요한 이유2025.05.151. 논리 모델의 중요성 논리 모델은 사회복지 실천 현장에서 클라이언트에게 효과적인 개입을 하는데 매우 중요한 역할을 한다. 논리 모델은 복잡한 사회문제를 단순화시켜 이해를 돕고, 객관성을 확보하며, 체계적이고 과학적인 분석틀을 제공한다. 또한 인과관계 파악, 이론 및 실천 지식 개발, 의사결정 과정의 효율성과 합리성 향상, 학습자와 교수자 간 상호작용 촉진, 학문 발전 기여, 전문지식 습득 및 비판적 사고력 향상, 윤리적 판단 능력 함양 등 다양한 측면에서 사회복지 실천에 도움을 준다. 1. 논리 모델의 중요성 논리 모델은 복잡한...2025.05.15
-
전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
-
실험 13_공통 게이트 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 공통 소오스 증폭기에 비해서 매우 작음을 알 수 있다. 이를 이용하면 별도의 ...2025.04.27
-
[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 논리함수와 게이트2025.05.101. NAND 게이트 설계 및 특성 분석 NAND 게이트를 AND, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 1인 경우 출력이 0이 되는 것을 확인할 수 있었다. NAND 게이트의 진리표를 제시하였다. 2. NOR 게이트 설계 및 특성 분석 NOR 게이트를 OR, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 0인 경우 출력이 1이 되는 것을 확인할 수 있었다. NOR 게이트의 진리표를 제시하였다. 3. XOR 게이트 설계 및 특성 분석 XOR 게이트의 회로도와 시뮬레이션 결과를 제시...2025.05.10
-
울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
-
[전기회로설계실습] 설계 실습 13. 발전기 원리 실험2025.05.131. 코일의 인덕턴스 측정 RL회로를 이용하여 인덕터의 인덕턴스를 측정하는 실험을 진행하였다. Oscilloscope의 curosr기능을 사용하여 저항전압이 입력전압의 63%가 되는 time constant(시정수)를 측정하였다. RL회로의 time constant tau = L over R이고, R = 10.098 [kΩ]+ 0.129[kΩ](코일 내부 저항 값)을 활용하여 L= tau R로 코일의 인덕턴스를 구한다. 그 결과 L = 116.688 [mH]이다. 2. 코일의 전압 생성 확인 Faraday's Law는 어떤 폐회로에...2025.05.13
-
컴퓨터구조_컴퓨터 내부에서 사용하는 명령어 사이클의 4가지 단계에 대해서 비교 설명하시오.2025.01.291. 명령어 인출 단계 (Fetch) 명령어 사이클의 첫 번째 단계는 명령어 인출(fetch) 단계이다. 이 단계는 CPU가 메모리에서 실행할 명령어를 불러오는 과정이다. 현대 컴퓨터에서 CPU는 프로그램 카운터(PC)를 통해 다음에 실행할 명령어의 위치를 추적한다. 프로그램 카운터는 메모리 주소를 가리키며, 이를 바탕으로 명령어를 메모리에서 인출하여 명령어 레지스터(IR)에 저장한다. 이때 CPU는 주소 버스를 통해 명령어가 저장된 메모리 주소를 지정하고, 데이터 버스를 통해 해당 명령어를 인출하여 명령어 레지스터로 전달한다. 2...2025.01.29
-
논리모델의 개념과 특성을 설명하고 논리모델을 이용한 프로그램의 평가에 대해 논하고 이를 적용한 사례2025.01.201. 논리모델의 개념과 특성 논리모델은 특정한 상황 속에서 주어진 문제를 해결하기 위한 프로그램이 어떻게 설득력 있게 그리고 쉬운지 보여주는 모델이다. 논리모델은 프로그램의 개발, 수정, 수행, 보급 등의 모든 단계에서 활용이 가능하며, 프로그램의 개발과 평가를 하나로 묶어 줄 수 있는 도구이다. 논리모델은 상황에 대한 투입과 산출, 성과의 논리적인 관계를 보여주는 그림표현으로 평가에서 측정하고자 하는 요소들 간의 연속성을 도표화하여 각 범주를 가로지르는 정보의 흐름을 요약해 줄 수 있다. 2. 논리모델을 이용한 프로그램의 평가 논...2025.01.20
3 / 75
