총 255개
-
[일물실2 A+] 축전기의 충전-방전 실험 Report2025.05.151. 축전기의 충전 과정 축전기의 충전 과정에서 전류와 전압의 변화를 관찰하였다. 전류는 초기에 최대값을 가지며 시간이 지남에 따라 감소하는 모습을 보였다. 이는 축전기에 전하가 충전되면서 전류의 흐름이 방해받기 때문이다. 전압은 시간에 따라 증가하여 최종적으로 축전기에 걸리는 전위차가 생성된다. 2. 축전기의 방전 과정 축전기의 방전 과정에서도 전류와 전압의 변화를 관찰하였다. 전류는 초기에 최대값을 가지며 시간이 지남에 따라 감소하는 모습을 보였다. 이는 축전기에 충전된 전하가 방전되면서 전류의 흐름이 점차 줄어들기 때문이다. ...2025.05.15
-
전기용량실험 레포트2025.01.121. 축전기의 구조와 역할 축전기는 기본적으로 도체로 된 두 개의 극판 사이에 유전체가 삽입되어 있는 형태를 가지며, 이러한 구조의 축전기에 전하 또는 전기에너지를 저장할 수 있다. 축전기의 전기용량은 금속판의 면적에 비례하고 금속판 사이의 거리에 반비례한다. 2. 축전기의 연결 방식 축전기를 직렬로 연결하면 합성 전기용량의 역수가 각 전기용량의 역수의 합과 같아지며, 병렬로 연결하면 합성 전기용량이 각 전기용량의 합과 같아진다. 직렬 연결은 전압이 분배되고 병렬 연결은 전하량이 분배된다. 3. 실험 장치와 절차 실험에 사용된 장치...2025.01.12
-
광전자공학실험2 변위 측정 간섭계2025.04.251. 변위 측정 간섭계 변위 측정 간섭계를 설명하기 위해서는 변위와 거리의 차이점을 이해해야 한다. 거리는 물체 간의 길이를 의미하지만, 변위는 물체의 위치 변화량을 의미한다. 변위 측정 간섭계에는 호모다인 간섭계와 헤테로다인 간섭계가 있다. 호모다인 간섭계는 단일 주파수 광원을 사용하며, 간섭 신호 획득 시 광강도에 의존하므로 배경광에 민감하다. 반면 헤테로다인 간섭계는 주파수가 다른 두 광원을 사용하여 맥놀이 신호를 분석함으로써 외부 환경에 덜 민감하고 방향성 판별이 가능하다. 2. 호모다인 간섭계 호모다인 간섭계는 마이켈슨 간...2025.04.25
-
건국대 물및실2 기전력 측정 A+ 결과 레포트2025.01.211. 기전력 측정 실험을 통해 기전력 측정 결과를 분석하였다. 습동단자 H를 이동하며 검류계가 0으로 측정되는 위치를 3번 측정하여 미지 전지의 기전력을 구하였다. 실험 결과와 이론값 사이의 오차율이 크게 나타났는데, 이는 측정 과정에서의 오차와 실험 장치 전지의 내부 저항으로 인한 것으로 추정된다. 오차를 줄이기 위해서는 더 정밀한 기기를 사용하거나 내부 저항을 배제할 필요가 있다. 1. 기전력 측정 기전력 측정은 전기 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전압 차이를 정확하게 측정하여 전기 시스템의 성능을 평가하고 문제를 진단할...2025.01.21
-
전기회로설계실습 예비보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.01.171. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 매우 작을 것으로 예상되며, 시간이 지날수록 점점 증가할 것이다. 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비를 최소화하였으며, 내부저항을 0.05Ω으로 가정하여 10Ω 저항에서의 소비전력을 계산하였다. 2. DC Power Supply 출력 특성 DC Power Supply의 Output 1의 출력전압을 1V, 최대출력전류를 10mA로 조정한 상태에서 10Ω 저항을 연결하면 최대전류인 10mA를 넘어...2025.01.17
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.04.301. Op Amp의 특성 측정 Op Amp의 두 입력단자에 ground를 연결하고 출력파형을 관찰하였고 Offset Voltage가 증폭되어 나온 출력 -12.5V를 확인했다. Op Amp에 공급하는 전압 이상으로 증폭할 수 없으므로 출력이 Saturation되는 결과가 나타났다. 2. Integrator 설계 R = =1 kΩ, C = 0.47 F의 Integrator를 설계하고, input pulse로 2V, 250Hz의 사각파를 인가하고 2ms 뒤의 출력파형을 관찰하였다. PSPICE 시뮬레이션 결과와는 출력전압의 크기에서 차...2025.04.30
-
(A+) 일반물리학실험2 전자기기사용법(2)2025.01.111. 저항기의 색띠 표기법 저항기의 색띠 표기법을 익히고 Multimeter를 통해 실제 측정한 저항값과 비교하였다. 4개 또는 5개의 색깔 띠로 저항값과 그 오차 범위를 표기하는 방법을 설명하고, 실험에 사용한 4색 띠 표기법을 해석하는 방법을 제시하였다. 2. 옴의 법칙과 전류 측정 전압 V, 전류 I와 저항 R 간의 관계인 옴의 법칙을 설명하고, 이를 이용하여 고정된 저항값에서 전압을 변화시키면 전류가 선형적으로 증가한다는 것을 확인하였다. 실험에서는 주로 전류 측정에 초점을 맞추었다. 3. 직류 전류 측정 DC Power S...2025.01.11
-
전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
-
A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
-
건국대 물및실2 휘스톤 브릿지 A+ 예비 레포트2025.01.211. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙입니다. 전압(V)과 전류(I), 저항(R)의 관계는 V = IR로 나타낼 수 있습니다. 옴의 법칙이 성립하는 상황에서 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고 저항(R)에 반비례합니다. 2. 저항 저항은 전류가 흐를 때 이 전류의 흐름을 방해하는 요소입니다. 저항은 저항의 길이에 비례하고 단면적에 반비례하며, 비저항이라는 상수로 나타낼 수 있습니다. 3. 전압 강하 전압 강하란 전기회로에서 전원에서 공급된 전압에 의해 전류가 이동하면서 회로의 저항 또는 임...2025.01.21
11 / 26
