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실험 15_다단 증폭기 결과보고서2025.04.281. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 실험을 통해 다단 증폭기의 입력단과 출력단의 임피던스 조건, 전압 이득 특성 등을 확인하였다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하였다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하고, 이를 이...2025.04.28
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서1 초전형 적외선 센서2025.05.151. 초전형 적외선 센서 초전형(Pyroelectric) 적외선 센서를 사용하여 회로를 설계하고 실험을 진행하였다. 센서에 +5V를 인가하고 Op-Amp에 +15V, -15V를 인가하여 회로를 구성하였다. 센서 위를 손으로 움직이면 출력신호가 증폭되어 나타났으며, 노이즈 제거를 위해 두 번째 Op-Amp 회로에 병렬로 10㎋의 커패시터를 연결하여 Low-Pass Filter 기능을 추가하였다. 이를 통해 노이즈가 상당히 감소한 깨끗한 파형을 확인할 수 있었다. 또한 Low-Pass Filter의 3dB-frequency를 계산하여 ...2025.05.15
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마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 마이크로컴퓨터2025.01.041. 마이크로프로세서 마이크로프로세서는 컴퓨터나 기타 디지털 장치의 중앙 처리 장치(CPU) 역할을 하는 현대 전자 시스템의 복잡하고 필수적인 구성 요소입니다. 이는 본질적으로 디지털 컴퓨팅 원리를 기반으로 광범위한 기능을 수행하는 소형 집적 회로입니다. 마이크로프로세서의 주요 측면에는 아키텍처, 처리 능력, 제조 및 크기, 명령어 세트, 연결 및 인터페이스, 응용 분야, 전력 소비 및 열 방출, 진화 및 추세 등이 있습니다. 2. 마이크로컨트롤러 마이크로컨트롤러는 임베디드 시스템의 특정 작업을 관리하도록 설계된 소형 집적 회로입니...2025.01.04
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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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[A+자료] 반도체 물성과 소자 9~10장 정리2025.05.111. 반도체 물성 반도체 물질의 기본적인 특성과 구조에 대해 설명합니다. 반도체 내부의 전자와 정공의 움직임, 에너지 밴드 구조, 도핑 등 반도체의 기본적인 물리적 특성을 다룹니다. 2. 반도체 소자 반도체 소자의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 다이오드, 트랜지스터, MOS 소자 등 다양한 반도체 소자의 구조와 동작 메커니즘을 다룹니다. 각 소자의 전압-전류 특성, 동작 영역, 응용 분야 등을 설명합니다. 3. MOS 트랜지스터 MOS 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 자세히 설명합니다. 문턱전압, 선형 영역, 포화 영역, 항...2025.05.11
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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[부산대 이학전자실험] OP-AMP (3)2025.05.041. Comparator Comparator는 이름에서 알 수 있듯이 전압을 비교할 수 있는 장치이다. Op Amp의 높은 전압 이득을 이용하여 입력신호를 무한대로 가깝게 증폭해준다. Comparator는 입력되는 두 전압의 크기를 비교하여 두 입력 값 중 가장 큰 것을 결정해준다. 실험 결과 입력전압이 기준전압보다 크면 출력전압이 (+)로, 작으면 (-)로 출력되는 것을 확인할 수 있었다. 다만 회로의 내부저항으로 인해 출력전압이 공급전압보다 약간 낮게 나왔다. 2. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 소자이다...2025.05.04
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물리2 세특 (트랜지스터 구조 관련) 24년 수시 합격생의 생기부 자료2025.01.211. 트랜지스터 트랜지스터는 전극에 가해진 전압이나 전류를 제어해서 신호를 증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자이다. 트랜지스터는 크게 BJT(Bi-polar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)로 나눌 수 있다. BJT는 전류를 증폭시키며 Base, Collector, Emitter인 3개의 전극을 가지고 있고 전자와 정공 둘 다 기여하는 Biploar 소자이다. FET은 전압을 증폭시키며 Gate, Source, Drain으로 이루어져 있고 전자나 정공 중 한 종류만 전...2025.01.21
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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