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[전자회로실험] 반전 적분기 결과보고서2025.05.101. 반전 적분기 실험 실험에서는 741 연산 증폭기, 전원 전압 V+ = 15V, V- = -15V, 저항 R = 10kΩ, 커패시터 C = 0.1㎌로 구성된 반전 적분기 회로를 브레드보드에 구현하였다. 입력 신호는 피크간 전압 10V, 평균 전압 0V, 주파수 1kHz의 대칭 구형파를 사용하였다. 입력 신호와 출력 신호를 오실로스코프로 측정하고 이론적 계산 결과와 비교하였다. 또한 커패시터와 병렬로 큰 저항 200kΩ을 연결하여 오프셋 전압 문제를 해결하는 실험을 진행하였다. 2. 주파수 영역 분석 주파수 영역 분석에서는 입력 ...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압 분배 바이어스 회로 전압 분배 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작 점을 안정적으로 설정하며, 안정적인 증폭기 성능을 제공하는 역할을 한다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전류와 컬렉터 전류를 제어하여 증폭기가 안정적으로 작동하도록 한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 전압 분배기와 에미터 저항을 사용하여 트랜지스터의 바이어스를 안정적으로 설정하고, 이를 통해 증폭기의 동작을 안정화한다. 베이스 전압, 컬렉터 ...2025.01.29
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제너다이오드 회로의 특성 실험2025.05.111. 제너다이오드의 특성 제너 다이오드는 항복영역에서 동작하도록 제조된 다이오드로, 도핑 농도를 조절하여 2V에서 200V 사이의 제너 전압을 조정할 수 있다. 제너 다이오드는 항복영역에서 동작할 때 전류가 변해도 전압 변화가 작아 전압 조절 역할을 할 수 있다. 2. 제너 전압 조정기 제너 전압 조정기는 부하 저항 양단의 전압을 일정하게 유지시키기 위해 사용된다. 제너 다이오드가 항복영역에서 동작하도록 하고, 직렬 저항을 통해 전류를 제한하여 출력 전압을 일정하게 유지시킨다. 3. 제너 이탈점 제너 이탈점은 최소 전원 전압과 최대...2025.05.11
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비고츠키의 인지발달이론에 따른 영유아 교육사례2025.04.251. 인지발달이론 인지발달이론은 인간의 인지발달을 유기체와 환경의 상호작용으로 파악한 이론으로, 피아제와 비고츠키의 이론이 대표적이다. 비고츠키의 인지발달이론은 사회적 상호협력 작용이 인지발달을 강화한다는 효과성에 근거하고 있다. 2. 비고츠키의 인지발달이론 비고츠키의 인지발달이론은 고등정신기능의 발달을 강조한다. 고등정신기능은 개인 간 수준에서 습득을 통해 중간 과정을 거치면서 개인의 내면화 사고를 조절하고 인지 변화를 이루는 고차원의 정신기능을 의미한다. 이는 근접발달영역의 함양에 따라 촉진될 수 있다. 3. 비고츠키의 인지발달...2025.04.25
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운동학습에서의 기억과 망각2025.01.141. 기억의 역사적 배경 기억은 17~19세기에 영국의 철학자들에 의해 생각의 진행이라는 개념으로 시작되었고, 20세기 초 행동주의 학자들에 의해 감각적 자극과 반응의 연결이라는 개념으로 연구되기 시작했다. Ebbinghaus는 기억과 망각에 대한 최초의 실험적 연구를 수행했으며, 시간이 지남에 따라 기억이 감소한다는 결과를 얻었다. 이후 연구에서는 파지개선현상이 발견되기도 했다. 2. 기억의 측정 기억의 정도를 측정하는 방법으로는 회상검사(recall test), 재인검사(recognition), savings 등이 있다. 회상검...2025.01.14
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전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스2025.04.301. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...2025.04.30
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.04.291. RC 회로 이번 실험에서는 저항과 커패시터로 구성된 RC 회로의 time constant를 측정하는 방법에 대해 알아보았으며, 오실로스코프에 나타나는 파형을 통해 커패시터와 time constant의 기능과 동작 원리, 의미 등을 확인할 수 있었다. DMM의 내부 저항과 커패시터를 활용하여 RC time constant를 측정하고, 이론값과 비교하여 오차율을 분석하였다. 또한 Function generator를 이용하여 RC 회로의 동작을 관찰하고, 사각파 입력 시 커패시터의 충전 및 방전 특성을 확인하였다. 2. DMM 내부...2025.04.29
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전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)2025.05.101. MOSFET 드레인 특성 실험(1)에서는 VDD와 VGG의 값을 변화시키면서 MOSFET의 드레인 전류 ID를 측정하였다. 실험 결과를 그래프로 나타내었더니 이론과 비슷한 형태의 그래프가 나타났다. MOSFET은 트라이오드 영역에서 VDS가 증가함에 따라 ID도 증가하지만, 포화 영역에서는 ID가 일정한 값을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 실험에서는 포화 영역에서도 ID가 조금씩 증가하는데, 이는 채널 길이 변조 현상 때문이다. 2. MOSFET 공통 소스 증폭기 실험(3)에서는 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성을...2025.05.10
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