
총 104개
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 112025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하여 DC Sweep 분석을 통해 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절대 값이 특정전압 이상이 되지 않으면 출력전압이 0에서 미동도 하지 않는 Dead zone이 발생하는 것을 확인하였다. 이는 Push-pull 증폭기의 NPN BJT와 PNP BJT가 모두 cut-off모드로 동작하기 때문이다. 2. Feedback loop와 Op-amp를 이용한 Push-Pull Am...2025.01.11
-
전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
-
전자회로설계 및 실습2_설계 실습2. OP Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계_예비보고서2025.01.221. Offset Voltage OP Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명합니다. 이상적인 OP AMP에서는 두 입력단자를 접지하면 출력전압이 0V가 되지만, 실제 OP AMP에서는 내부에 offset voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아닙니다. 이 offset voltage를 측정하기 위해서는 이득이 100(V/V)와 1000(V/V)인 반전 증폭기를 설계하고, 두 입력단자를 접지한 상태에서 출력전압을 측정하여 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 offset voltage를 최소화하는 방법으로 가변저항을 ...2025.01.22
-
[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifer 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 중앙대학교 전자전기공학부의 전자회로설계실습 예비보고서 6번 과제인 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 이 과제의 목적은 NPN BJT를 사용하여 입력저항 50Ω, 부하저항 5kΩ, 전원전압 12V인 경우에 증폭기 이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정 및 평가하는 것입니다. 이를 위해 Early effect를 무시하고 이론적인 계산을 통해 emitter 저항, 바이어스 전...2025.04.30
-
[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서 2. Switching Mode Power Supply (SMPS)2025.04.291. SMPS(Switching Mode Power Supply) SMPS는 반도체 스위치 소자의 on-off 시간을 조절하여 출력을 안정화시킨 직류 안정화 전원 장치입니다. 고효율, 소형 및 경량화가 가능하여 다수의 전자기기 및 장비 등에 사용되는 중요한 장치입니다. DC-DC 컨버터에 있어 부품의 기생 요소에 의해 출력전압의 저하가 발생하면 안정화 전원으로서의 응용이 곤란하므로 PWM 방식을 채택한 제어 회로를 이용하여 출력전압을 안정화시켜줍니다. 2. PWM 제어 회로 PWM 제어 회로를 구성하여 톱니 파형과 출력 파형을 확인...2025.04.29
-
전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
-
전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성합니다. RE와 커패시터 변경에 따른 주파수 특성 변화도 확인합니다. 2. RE 변화에 따른 주파수 특성 RE를 ±10% 변경했을 때 overall voltage gain의 최대값, 3dB bandwidth, unity...2025.01.22
-
LPF와 HPF 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. LPF 설계 RC 직렬 LPF 회로를 설계하고, 주파수 10kHz, Vpp 1V인 사인파를 인가하여 입력전압, 출력전압, 저항전압의 파형을 측정하였다. 이론값과 실험값의 오차율을 계산하고, 오차 발생 이유를 분석하였다. 또한 입력 주파수를 100kHz까지 변화시켜가며 LPF 출력전압의 최대값을 측정하여 linear-log 그래프로 나타내었다. 2. HPF 설계 RL 직렬 HPF 회로를 설계하고, 주파수 10kHz, Vpp 1V인 사인파를 인가하여 입력전압, 출력전압, 저항전압의 파형을 측정하였다. 이론값과 실험값의 오차율을 계...2025.04.25