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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.111. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하려 한다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하기 위해서는 적절한 저항 값 R1, R2, RC를 설정해야 한다. 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R1, R2, RC를 구한다. LED가 ON될 때 회로의 총 소비전력도 계산한다. 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R3를 구하고, ...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서102025.01.121. Oscillator 회로 설계 및 측정 전자회로설계실습 결과보고서에서는 Op-Amp를 이용한 Oscillator 회로를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형을 학습하는 실습을 진행하였습니다. 대부분의 실험에서 오차는 10% 내외로 발생하였으므로 비교적 정확한 실험을 진행한 것으로 볼 수 있습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 R의 값을 조정하는 과정에서 손으로 직접 맞춰야했기 때문에 오차가 발생했을 것이고 측정기기 내의 내부 저항들로 인해 작은...2025.01.12
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)2025.05.101. Series-Series 피드백 증폭기 이번 실험에서는 Series-Series 피드백 증폭기를 구현 및 측정하였다. 오직 입력전압의 변화로 출력 전류가 결정된다. 실험 4.2 (A)에서는 입력저항 1kΩ, (B)에서는 입력저항 10 kΩ으로 같은 입력전압을 가질 때, (A)와 (B)의 출력전압을 비교하였다. 이 같은 경우 둘의 출력전압이 같게 측정이 되었기 때문에 출력전류도 같음을 알 수 있다. 이론대로 실험 결과가 나왔음을 확인할 수 있다. 또한 LED전류가 Rf에 흐르는 전류와 같은데 입력전압을 늘릴수록 LED의 밝기가 ...2025.05.10
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전자회로 설계 및 실습 결과보고서: MOSFET Current Mirror 설계2025.05.141. Current Mirror Current Mirror는 트랜지스터를 전류원으로 이용하여 같은 크기의 전류를 계속해서 만들어내는 회로입니다. 이번 실험에서는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 그 특성을 확인하였습니다. 2. 단일 Current Mirror 첫 번째 실험에서는 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 결과 MOSFET을 이용해 회로를 설계하면 동일한 전류(Io)가 흐르는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 ΔVo ≡ Io·ΔRo...2025.05.14
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서52025.01.121. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 보고서는 전자회로 설계실습 과정에서 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 릴레이 또는 LED를 구동하여 각각의 동작을 측정하는 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 부하가 emitter에 연결된 LED 구동 회로, BJT Inverter에 연결된 LED 구동 회로, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 등을 구현하고 측정 결과를 분석하였습니다. 실험 과정에서 발생한 오차는 전원 공급 및 가변저항 사용의 한...2025.01.12
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전압 및 전류 모니터링이 가능한 Battery 충전기 설계2025.01.201. 전원회로 설계 스위칭 모드 전원은 고주파 스위칭으로 에너지를 효율적으로 변환하여 높은 에너지 효율성을 제공합니다. SMPS 전력 변환 중 손실이 적어 열손실을 최소화하여 효율을 높일 수 있습니다. 기존 예상 전원회로 제안서에서는 Linear power supply 방식을 계획했으나, 실제 설계에서는 Switching Mode Power Supply를 전원회로로 선택했습니다. 2. 충전기 회로 설계 충전기 회로는 SMPS(DC5V), TP4056 충전모듈, 18650 배터리, 아두이노, 온도센서, 쿨링팬, LCD 등으로 구성됩니...2025.01.20
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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