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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 예비보고서10 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 및 측정 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. OrCAD PSPICE를 사용하여 Oscillator를 설계하고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주기를 확인합니다. 또한 feedback factor (β)와 feedback 저항 R의 영향을 분석합니다. 2. Positive ...2025.05.14
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기초전자실험 - 19장 공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기를 설계, 구성하고 시험하였다. 직류 바이어스와 교류 증폭값을 계산하고 측정하였다. 설계 과정에서 트랜지스터 규격과 회로의 동작 조건을 상세히 정의하였다. 실제 회로를 구성하기 전에 컴퓨터를 이용한 설계를 수행하고 테스트하였다. 2N3904 트랜지스터를 사용하였으며, 회로는 VCC = 10V, Av = 100 (최소값), Zi = 1kΩ (최소값), Zo = 10kΩ (최대값), 교류 출력 전압 스윙 = 3Vp-p (최대값), 부하 저항 RL = 10kΩ (최소값)의 특성을 가져야 한...2025.04.30
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Common Emitter Amp2025.05.021. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 증폭기의 입력전압 감소를 위한 저항 설계, PSPICE를 이용한 회로 시뮬레이션, 출력파형 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합...2025.05.02
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 Oscillator 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 OrCAD PSPICE를 사용한 Oscillator 회로 설계, Feedback factor (β)와 Feedback 저항 (R)의 영향 분석 등이 포함되어 있습니다. 설계한 Oscillator 회로의 동작 원리와 파형 분석 결과가 자세히 설명되어 있습니다. 1. Oscillator 설계 Oscillator 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 정확한 주파수와 ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 112025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하여 DC Sweep 분석을 통해 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절대 값이 특정전압 이상이 되지 않으면 출력전압이 0에서 미동도 하지 않는 Dead zone이 발생하는 것을 확인하였다. 이는 Push-pull 증폭기의 NPN BJT와 PNP BJT가 모두 cut-off모드로 동작하기 때문이다. 2. Feedback loop와 Op-amp를 이용한 Push-Pull Am...2025.01.11
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.211. BJT 구동 회로 설계 BJT를 이용하여 LED 구동 회로를 설계하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter에 연결된 경우에 대해 각각 IB, IE, IC, VB, VC, R1, R2를 계산하고 총 소비전력을 구하였습니다. 또한 구동 신호 VIN이 5V(High)일 때와 0V(Low)일 때의 동작을 분석하였습니다. 2. MOSFET 구동 회로 설계 MOSFET을 이용한 LED 구동 회로를 설계하였습니다. MOSFET의 datasheet를 참고하여 적절한 RD(ON)을 선정하고, MOSFET의 Triode ...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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전자회로설계 및 실습2_설계 실습2. OP Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계_예비보고서2025.01.221. Offset Voltage OP Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명합니다. 이상적인 OP AMP에서는 두 입력단자를 접지하면 출력전압이 0V가 되지만, 실제 OP AMP에서는 내부에 offset voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아닙니다. 이 offset voltage를 측정하기 위해서는 이득이 100(V/V)와 1000(V/V)인 반전 증폭기를 설계하고, 두 입력단자를 접지한 상태에서 출력전압을 측정하여 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 offset voltage를 최소화하는 방법으로 가변저항을 ...2025.01.22
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