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MOSFET Current Mirror 설계2025.12.181. 단일 Current Mirror 설계 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계한다. Gate Threshold Voltage는 2.1V이며, Drain과 Gate가 연결되어 항상 Saturation 영역에서 동작한다. 설계 과정에서 (1/2)μnCox(W/L)을 구하고, 전류원 조건을 만족하는 저항값을 계산한다. OrCAD로 회로를 설계하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 검증한다. 2. Cascode Current Mirror 설계 두 개의 MOSFET을 이용한 Cascode 구조의 전류원 설계이다. M1과...2025.12.18
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.011. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 M2의 VGS와 R1 값을 계산합니다. (C) M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 구하고, (D) OrCAD로 IO = ...2025.05.01
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MOSFET Current Mirror 설계 및 실습2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. 트랜지스터의 Transconductance Parameter를 Data sheet에서 구하고, Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 분석한다. 출력저항은 Channel Length Modulation 효과를 고려하여 계산하며, 10mA의 전류원 설계를 목표로 한다. OrCAD와 PSPICE를 이용한 시뮬레이션으로 설계값을 검증한다. 2. Cascode C...2025.11.13
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광전자공학실험1 PCB 회로설계 (중간고사 평가)2025.04.251. PCB 회로설계 PCB 회로설계 중간고사를 위해 인터넷을 찾아보면서 전자캐드 기능사 실기 회로를 찾아서 회로를 만들었습니다. OPAMP 회로를 처음 접하게 되었는데 새로운 소자를 사용해보는 데 그전에 배웠던 오실레이터와 제너레이터를 연습하다 보니 실력이 많이 늘었습니다. 전자캐드 기능사 실기 OPAMP 회로도를 찾아서 Pspice에 회로를 만들어 주었고, Orcad 파일 생성 확인을 위해 거버파일 위치 및 거버파일을 생성하였습니다. 2. OPAMP 회로 OPAMP 회로를 처음 접하게 되었는데 새로운 소자를 사용해보는 데 그전에...2025.04.25
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트랜지스터 바이어스 회로 및 증폭기 실험 보고서2025.12.161. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로에서 Power Supply를 이용하여 VCC에 직류 15V를 인가하고 각 단자의 전압을 측정한다. Base 전압 VB는 분압 공식을 이용하여 2.85V로 계산되며, Emitter 전압 VE는 VB에서 0.7V를 뺀 2.15V이다. Collector 전압 VC는 15V에서 IC와 RC의 곱을 뺀 13.93V이고, VCE는 11.78V이다. 직류 부하선의 포화점에서 IC(sat)는 3.33mA이고 차단점에서 Voff는 15V이다. 2. 공통 컬렉터(CC) 증폭기 공통 컬렉터 증폭기에서...2025.12.16
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7주차 예비 보고서 17장 회로 모의 실험2025.05.011. PSIM과 OrCAD PSpice의 특징 비교 PSIM과 OrCAD PSpice는 회로 시뮬레이션 도구로 각각의 장단점이 있다. PSIM은 전력전자 회로 검증에 적합하며 고조파 및 파형 정보를 제공하지만 제한된 라이브러리와 사용자 친화적 인터페이스가 부족하고 간략화된 소자 모델로 인한 데이터 부정확성이 문제점으로 지적된다. 반면 OrCAD PSpice는 실제 모델을 사용하여 정확성이 높지만 연산 시간이 오래 걸리고 수렴 문제가 발생할 수 있다. 이러한 차이점을 고려하여 시뮬레이션 도구를 선택해야 한다. 2. DC Sweep 해...2025.05.01
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Oscillator 설계 예비보고서2025.12.181. OrCAD PSPICE를 이용한 Oscillator 설계 OrCAD PSPICE 시뮬레이션 도구를 사용하여 신호발생기(Oscillator)를 설계하는 과정을 다룬다. 설계 시 사용된 수식과 수치를 상세히 기록하고, Time Domain 분석을 통해 최대 스텝 크기와 실행 시간을 20ms~100ms 범위에서 설정하여 시뮬레이션을 수행한다. 출력 파형과 주파수 값을 측정하고 제출하는 실습 내용을 포함한다. 2. Oscillator의 동작원리 및 OP-Amp 회로 분석 OP-Amp 기반 Oscillator의 동작 메커니즘을 설명한다...2025.12.18
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MOSFET 소자 특성 측정 설계실습2025.12.111. MOSFET 기본 특성 및 동작 원리 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET)는 전압 제어형 반도체 소자로, 게이트 전압의 변화에 따라 드레인-소스 간의 전류를 제어한다. MOSFET은 임계전압(Vth)을 기준으로 차단, 트라이오드, 포화 영역에서 동작하며, 각 영역에서 드레인 전류는 다른 수식으로 표현된다. 2N7000 MOSFET의 경우 데이터시트에서 Vth의 최소값은 0.8V, 전형값은 2.1V, 최대값은 3V로 제시된다. 2. MOSFET 특성 파라미터 계산 및 측정 MOSFET의 주요 특성 파라...2025.12.11
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