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인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
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전자재료 보고서2025.05.101. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안 반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상을 도모하는 것이 주요 내용입니다. SiO2의 Scaling 한계로 인한 Gate Leakage와 Dram Capacitor의 Leakage 증가 문제를 해결하기 위해 High-K 유전체가 대두되었지만, 대부분의 High-K 유전체가 Crystallization-Induced 누설전류와 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실리콘과의 계면상태가 우...2025.05.10
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Genomic DNA Preparation 예비레포트 결과레포트2025.05.161. DNA (Deoxyribonucleic Acid) DNA는 자연계에 존재하는 2종류의 핵산 중 디옥시 리보오스를 함유한 것의 총칭을 말하며, 디옥시리보핵 산(Deoxyribonucleic Acid)의 약칭이다. DNA는 뉴클레오 타이드의 중합체인 2개의 긴 가닥이 서로 꼬여 있는 이중나선구조로 고분자 화합물이다. DNA의 기본 단위는 뉴클레오타이드이며, 뉴클레오타 이드는 염기, 당, 인산으로 구성된다. 2. DNA Extraction DNA를 얻기 위해서는 먼저 세포를 파괴해야 한다. 세포를 파괴하는 방법에는 원심분리와 같은 ...2025.05.16
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식물분자생물학실험 Plant genomic DNA extraction 결과보고서2025.01.181. DNA purification DNA extraction이라고도 불리는 DNA purification은 DNA를 각종 시료에서 얻어낸 sample로부터 추출하고, 물리적, 화학적 방법을 이용하여 DNA만 정제하는 방법을 말한다. 이를 위해 cell을 녹이고, 불필요한 다른 물질을 제거하는 과정이 필요하다. 대표적인 DNA purification 방법으로 organic extraction (phenolchloroform method), nonorganic method (salting out and proteinase K trea...2025.01.18
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서울대학교_물리분석실험_Raman Spectroscopy(2024)2025.01.231. Raman Spectroscopy 이번 실험에서는 Raman spectroscpy를 이용하여 1,2-dichloroethane의 anti form과 gauche form의 population 비율을 확인하고 온도에 따른 population의 변화를 분석하여 두 conformation 간의 에너지 차이를 분석하는 것이 실험 목적이다. Raman shift와 signal intenstiy로 만든 spectrum에서 온도에 따른 peak의 면적을 구한다. 각 rotamer의 peak 면적의 비율에 log를 취해 1/T를 변수로 하는...2025.01.23
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[생명공학 레포트] gDNA isolation 및 T7E1 assay를 통한 genome editing 확인2025.05.031. gDNA isolation gDNA는 plasmids와 같은 extra-chromosomal DNAs와는 다르게 chromosomal DNA를 의미한다. gDNA를 분리하는 단계에서는 cell과 CLS(Cell Lysis Solution), proteinase K를 섞어 DNA 추출을 위해 cell을 파괴하는 역할을 한다. CLS에는 SDS, Tris-HCl, EDTA 등이 들어가 있으며, SDS는 cell membrane의 lipid를 제거하고, Tris-HCl은 pH 변화를 방지하며, EDTA는 세포 내의 DNases의 역...2025.05.03
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Metallization (반도체)2025.05.081. Contacts Contacts는 반도체 내부로 전기 신호가 들어가고 나오게 하는 역할을 합니다. Schottky 접합과 ohmic 접합이 있으며, Schottky 접합은 p-n 접합과 유사하고 ohmic 접합은 V=IR 관계를 따릅니다. 2. Interconnects Interconnects는 칩 내의 다양한 소자와 구성 요소를 연결하는 역할을 합니다. 박막 증착 기술로는 물리적 기상 증착(증발), 스퍼터링, 화학 기상 증착 등이 있습니다. 3. Physical Vapor Deposition (PVD) PVD는 진공 환경에서...2025.05.08
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유기화학실험 - Column chromatography2025.01.181. Column chromatography Column chromatography는 액체와 고체를 분리하거나 정제할 때 가장 유용한 방법 중 하나이다. Mobile phase (eluent)에서 Stationary phase (silica gel)에 대한 흡착력의 차이를 이용하여 물질을 분리하는 방법이다. Eluent를 column에 통과시키면 혼합물에 존재하는 ingredient들이 stationary phase를 따라 움직이는데 각 ingredient와 stationary phase의 사이의 adsorption정도가 달라 co...2025.01.18
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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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