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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. TFET 디바이스 및 특성 TFET는 밴드-대-밴드 터널링 메커니즘을 사용하여 MOSFET의 60mV/decade 한계를 극복할 수 있는 초저전력 애플리케이션의 유망한 후보로 부상했다. TFET 디바이스의 단방향 전류 전도 특성과 낮은 온전류로 인해 SRAM 셀의 견고성이 저하되는 문제가 있다. 이 논문에서는 TFET 회로 스위칭/출력 특성/성능과 기본 물리학을 자세히 분석하고, SRAM의 평가 요소인 SNM을 조사하고 표현한다. 또한 TFET와 MOSFET을 함께 사용하는 하이브리드 GAA 6T SRAM을 제안한다. 2. S...2025.05.10
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. MOSFET and TFET MOSFET는 낮은 전압에서 on/off 특성이 좋지 않고 subthreshold swing이 높은 단점이 있다. 반면 TFET는 낮은 전압에서도 on 상태를 유지할 수 있고 대기 전력이 낮은 장점이 있지만 단방향 특성과 지연 시간이 길다는 단점이 있다. 2. TFET Modeling TFET는 커패시터, 다이오드, 저항으로 구성된 단방향 소자이다. 드레인 전류 매개변수, 커패시턴스 매개변수 등 다양한 매개변수를 사용하여 TFET을 모델링할 수 있다. 3. Hybrid GAA Characterist...2025.05.10
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RFIC 설계및실험 중간2025.05.101. MMIC Device MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 장치에는 능동 소자 유형이 있습니다. 이에는 GaAs MESFET, GaAs HEMT, GaAs HBT, Si-BJT, SiGe HBT, Si-CMOS, InP HEMT, IMPATT, PIN 등이 포함됩니다. 이러한 능동 소자는 신호를 증폭하며 선형성 정도가 다양합니다. 재료 선택은 전자 drift, 속도, 이동도, 저항률 등에 따라 달라집니다. 1. MMIC Device MMIC (Monolithic Microwave I...2025.05.10
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW012025.05.031. BCC 구조 결정의 원자 농도 BCC 구조 결정의 격자상수가 a라고 할 때, 원자 농도는 (8/a^3)개/단위 부피로 계산할 수 있다. 2. BCC 구조에서 FCC 구조로의 상전이 BCC 구조에서 FCC 구조로 상전이가 일어나면 원자 충진율과 격자상수는 거의 변화가 없지만, 최근접 이웃원자 간의 거리와 배위수는 동일하게 유지된다. 상전이 후 격자상수가 30% 증가하면 결정은 팽창된 것으로 볼 수 있다. 3. Vegard's Law를 이용한 삼원 화합물반도체 특성 분석 Vegard's Law에 따르면 삼원 화합물반도체의 격자상수...2025.05.03
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반도체 산업의 향후 세계 시장 변화 모습에 대한 예상 보고서2025.01.071. 삼성전자 파운드리의 운명 삼성전자 파운드리 사업에서 3나노미터 GAA 양산이 매우 중요한 변수가 될 것이다. 반도체 사업에서 공정기술과 설계자산이 중요하며, EUV 노광공정은 경쟁력과 주도권을 좌우하는 요소이다. 현재 EUV 공정을 제공하는 업체는 TSMC와 삼성전자 둘 뿐이다. 2. 삼성전자의 시스템 반도체 도전 삼성전자는 메모리 시장뿐만 아니라 시스템 반도체 사업 확장을 위해 노력해왔다. 3나노미터 GAA 공정 개발이 새로운 기회가 될 것으로 보이지만, 수율 확보와 설계자산 확보라는 과제를 해결해야 한다. 3. 반도체 장비...2025.01.07
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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물리전자2 과제5: 트랜지스터 Load Line 및 FET 특성2025.11.181. Load Line과 트랜지스터 동작점 Load line은 외부 인가 전압에 따른 출력 전류를 예측하기 위해 필요하다. E = iDR+vD 식의 그래프와 트랜지스터의 I-V 특성곡선을 같은 그래프에 그려 교점을 찾으면 정상상태의 전류와 전압값을 얻을 수 있다. VG 값의 변화에 따라 iD와 vD가 달라지며, VG 증가 시 전류는 증가하고 전압은 감소하여 트랜지스터가 ON되고, VG 감소 시 전류는 감소하여 OFF된다. 2. JFET의 동작 원리 및 Pinch-off JFET는 G 터미널의 바이어스로 제어된다. G에 양의 바이어스...2025.11.18
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차원에 따른 나노물질의 종류와 구성성분에 따른 나노물질의 종류2025.01.151. 나노물질의 차원별 종류 나노물질이란 1~100nm의 크기의 물질을 일컫는다. 0D: nanoparticle(NP), quantum dots(QDs), fullerenes, 1D: nanotubes, nanorods, nanofibers, 2D: nanofibrous, mesh, graphene, graphite, 3D: nanodevices, nanopatterns. 0D 나노물질은 주로 nanobio 분야에서 사용되며, 특히 퀀텀닷은 입자 크기에 따라 빛의 색이 달라지는 특성을 가지고 있다. 1D 나노물질은 모양별로 사이즈를...2025.01.15
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디지털IC 계열의 전력소모 특성 분석2025.11.121. 전력 계산 공식 전력을 구하는 기본 공식은 전압(V) × 전류(A) = 전력(W)이다. 전압과 전류가 존재하는 곳에는 항상 전력이 존재하며, 전압과 전류가 흐를 때 일을 하는 힘의 크기를 나타내는 전기에너지가 생성된다. 이 공식을 이용하여 각 IC의 소모 전력을 계산하고 비교 분석할 수 있다. 2. 디지털IC 종류별 전력소모 비교 디지털IC 계열의 소모 전력을 계산하기 위해서는 각 IC의 전압과 전류 값을 알아야 하며, 이를 곱하여 소모 전력을 비교 분석할 수 있다. 분석 결과 가장 낮은 전력을 소모하는 IC는 '74LS00'...2025.11.12
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물리전자2 과제5: 전계효과트랜지스터 특성 분석2025.11.181. 로드라인(Load Line)과 트랜지스터 동작 로드라인은 외부 인가 전압에 대한 출력 전류값을 예측하기 위해 필요하다. E = iDR + vD 방정식과 트랜지스터의 I-V 특성곡선의 교점이 정상상태의 전류와 전압값이 된다. VG 변화에 따라 iD와 vD가 변하며, VG 증가 시 정상상태 전류는 증가하고 전압은 감소한다. 이러한 변화는 증폭계수(VD/VG 비율)로 정량화된다. 2. JFET(접합형 전계효과트랜지스터) 제어 및 핀치오프 JFET는 S, G, D 단자의 바이어싱으로 제어된다. G 단자에 양의 바이어스를 인가하면 채널...2025.11.18
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