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반도체소자공학 이론(BJT, FET)2025.05.111. 반도체 소자 반도체 소자의 기본 원리와 구조에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 pn 접합, 전하 캐리어, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등이 포함됩니다. 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 에미터-베이스 접합, 베이스-콜렉터 접합, 전하 캐리어 흐름 등이 포함됩니다. 3. 전계 효과 트랜지스터(FET) 전계 효과 트랜지스터(FET)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 채널, 게이트, 소스, 드레인 등의 구조와 전하...2025.05.11
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전자공학실험2 15장 예비레포트2025.05.071. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석한다. JFET 소스 공통 교류증폭기와 MOSFET 소스 공통 교류증폭기의 동작 원리와 해석 방법을 설명하고, 시뮬레이션을 통해 바이패스 캐패시터와 부하저항 변화에 따른 출력전압의 변화를 확인한다. 1. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기는 전자회로 설계에서 중요한 역할을 합니다. ...2025.05.07
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반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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Source Follower Circuit 분석2025.12.131. Source Follower Circuit Source follower는 FET(Field Effect Transistor)를 이용한 기본적인 아날로그 회로 구성으로, 게이트(Gate)에 입력 신호를 인가하고 소스(Source)에서 출력을 얻는 구조입니다. 이 회로는 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 하며, 신호 버퍼링 및 임피던스 매칭에 주로 사용됩니다. 전압 이득은 1보다 작지만 안정적인 특성을 제공합니다. 2. 아날로그 집적회로 아날로그 집적회로(Analog IC)는 연속적인 신호를 처리하는 전자 회로로...2025.12.13
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. FET 전류원 FET 전류원 실험에서 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐르는 특성을 확인했다. 표 13-1의 측정값에서 20Ω부터 3.6kΩ까지의 다양한 부하저항에서 전류값이 안정적으로 유지되었으며, 이는 ID=IDSS 식으로 표현된다. 완전히 이상적인 전류원은 아니지만 필요한 전류량을 공급할 수 있는 실용적인 전류원으로 간주할 수 있다. 2. BJT 전류원 BJT 전류원은 부하저항에 관계없이 약 1mA의 일정한 전류를 유지한다. 이는 BJT가 정상 동작하기 위해 일정한 베이스-에미터 전압이 필요하기 때문...2025.11.16
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전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
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전기전자기초실험2 5주차 트랜지스터1(예비+결과레포트)2025.01.241. 트랜지스터의 종류 트랜지스터에는 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)가 있습니다. BJT는 전류 제어 방식으로 작동하며 NPN과 PNP 두 가지 유형이 있습니다. FET는 전압으로 제어되며 JFET(Junction FET)와 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) 등이 있습니다. MOSFET은 전력 제어에 유리하고 빠른 스위칭 속도로 다양한 전자기기에 활용됩니다. 2. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 차이 NPN 트랜...2025.01.24
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물리2 세특 (트랜지스터 구조 관련) 24년 수시 합격생의 생기부 자료2025.01.211. 트랜지스터 트랜지스터는 전극에 가해진 전압이나 전류를 제어해서 신호를 증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자이다. 트랜지스터는 크게 BJT(Bi-polar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)로 나눌 수 있다. BJT는 전류를 증폭시키며 Base, Collector, Emitter인 3개의 전극을 가지고 있고 전자와 정공 둘 다 기여하는 Biploar 소자이다. FET은 전압을 증폭시키며 Gate, Source, Drain으로 이루어져 있고 전자나 정공 중 한 종류만 전...2025.01.21
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