1. 3D Monolithic Integration 3D Monolithic Integration 기술은 Edge Computing을 위한 AI Memory 기술 중 하나로, 다층 구조의 반도체 칩을 단일 칩으로 통합하여 전력 효율성과 성능을 향상시킬 수 있다. 이 기술은 센서, 메모리, 프로세서 등의 다양한 기능을 하나의 칩에 집적할 수 있어 Edge Device에 적합하다. 그러나 제조 공정의 복잡성과 비용 문제가 해결해야 할 과제로 남아있다. 2. Planar SoC Integration Planar SoC Integratio...

1. 3D NVRAM 기술 구조 256단 적층 구조의 (8T/8C)/Cell 기반 3D NVRAM 기술로, 8개 트랜지스터와 8개 커패시터로 구성되며 각 커패시터는 개별 Wordline으로 제어된다. 2.0 eV 깊이의 트랩을 갖는 HfO₂/Al₂O₃ 유전체를 사용하며, TSV 기반 BEOL 저온 공정(<400°C)으로 3D 집적된다. DRAM급 속도(5ns)와 Flash급 보존성(7일~수개월)을 결합한 하이브리드 특성을 갖는다. 2. 동작 원리 및 성능 제안된 NVRAM은 커패시터 전하(Q_C)와 트랩 전하(Q_T)를 합산하여 총...