1. 3D NVRAM 기술 구조 256단 적층 구조의 (8T/8C)/Cell 기반 3D NVRAM 기술로, 8개 트랜지스터와 8개 커패시터로 구성되며 각 커패시터는 개별 Wordline으로 제어된다. 2.0 eV 깊이의 트랩을 갖는 HfO₂/Al₂O₃ 유전체를 사용하며, TSV 기반 BEOL 저온 공정(<400°C)으로 3D 집적된다. DRAM급 속도(5ns)와 Flash급 보존성(7일~수개월)을 결합한 하이브리드 특성을 갖는다. 2. 동작 원리 및 성능 제안된 NVRAM은 커패시터 전하(Q_C)와 트랩 전하(Q_T)를 합산하여 총...