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CMOS 정리2025.11.131. CMOS 기술 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)는 반도체 집적회로 제조 기술로, 상보형 금속산화막 반도체를 의미합니다. 낮은 전력 소비, 높은 집적도, 우수한 노이즈 특성을 특징으로 하며, 현대 마이크로프로세서, 메모리, 이미지 센서 등 다양한 전자기기에 광범위하게 적용되고 있는 핵심 반도체 기술입니다. 2. 반도체 공정 반도체 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 회로를 형성하는 일련의 제조 과정입니다. CMOS 공정은 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 동시에 제작하여 상보형 구조를 만들며...2025.11.13
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CMOS와 CCD의 장단점과 카메라 제조사의 선택2025.01.221. CCD 이미지 센서 CCD 이미지 센서는 오랜 시간 동안 고급 카메라 시스템에서 널리 사용되어 온 기술입니다. CCD의 가장 큰 장점은 뛰어난 이미지 품질입니다. CCD는 빛을 받아들인 후 전자 신호를 한 번에 처리하기 때문에 픽셀 간의 균일도가 높고, 결과적으로 노이즈가 적습니다. 특히, 저조도 환경에서도 고품질의 이미지를 얻을 수 있다는 점에서 전문가들에게 선호됩니다. 또한, CCD는 높은 다이내믹 레인지(dynamic range)를 제공하여 빛의 양이 극단적으로 차이나는 환경에서도 정교한 표현이 가능합니다. 그러나 CCD...2025.01.22
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CCD와 CMOS의 장점과 단점은 각각 무엇인지를 서술 하세요2025.01.271. 이미지센서 요즘 카메라 없는 휴대폰을 찾아보기가 힘들다. 또한 컴퓨터 network에 의한 통신의 발전에 따라, 각종 화상 data의 용도가 점점 다양해지고 있다. 광학 렌즈를 통해 이미지 센서 chip 수광면에 영상이 맺히면, 이미지 센서의 표면에 있는 각 화소에 들어온 빛을 감지해서, 각 화소에 들어온 빛의 세기에 비례한 전기적 신호를 차례대로 출력한다. 이 전기적 신호를 처리해서 영상을 재생하거나, 전송 또는 저장을 하는 것이다. 2. CCD와 CMOS 이미지센서는 구조에 따라 크게 CCD(전하결합소자, Charge Co...2025.01.27
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CMOS 인버터 설계 및 특성 분석 실험2025.11.181. CMOS 인버터 설계 공정 CMOS 인버터 설계는 웨이퍼 준비, n-well 형성, 활성 영역 정의, 게이트 형성, S/D 도핑, 어닐링, 컨택 형성, 금속화, 전극 형성 등 10단계의 공정으로 구성된다. 총 7개의 마스크(well, active region, poly, n-select, p-select, contact, metal mask)를 사용하여 미세한 패턴을 형성하고, 각 단계에서 산화막 증착, 식각, 이온 주입, 확산 등의 반도체 공정 기술이 적용된다. 2. 도핑 농도 및 접합 깊이 최적화 NMOS와 PMOS의 도핑...2025.11.18
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충북대학교 정보통신공학부 회로실험II 실험 13. CMOS-TTL interface 결과보고서2025.01.111. CMOS-TTL interface CMOS-TTL interface 실험을 수행하였습니다. 실험 과정 및 결과는 다음과 같습니다. 1번 실험에서는 10[V] 인가 시 5[V], 5[V] 인가 시 결과를 확인하였습니다. 2번 실험에서도 동일한 결과를 확인하였습니다. 3번과 4번 실험에 대한 과정 및 결과도 보고되어 있습니다. 1. CMOS-TTL interface The CMOS-TTL interface is an important topic in digital electronics and computer engineering....2025.01.11
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인하대 VLSI 설계 2주차 CMOS Process flow diagram 등 이론 수업 과제2025.05.031. CMOS Process flow diagram CMOS Process flow diagram을 다시 그려보고 설명하였습니다. CMOS 공정 흐름도를 통해 실리콘 칩 제조 과정을 자세히 살펴보았습니다. 모래에서 실리콘을 추출하고 잉곳을 만들어 웨이퍼를 제작하는 과정부터 포토리소그래피, 이온 주입, 에칭, 게이트 형성, 금속 증착 등 복잡한 공정 단계를 거쳐 최종적으로 완성된 프로세서를 만드는 과정을 이해할 수 있었습니다. 2. Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관 Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관을 방문하여 실리콘 칩...2025.05.03
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디지털 회로 실험 및 설계 - 기본 논리 게이트(Gate) 및 TTL, CMOS I.F 실험 22025.05.161. 디지털 회로 실험 및 설계 이 보고서는 디지털 회로 실험 및 설계 과정에서 수행한 기본 논리 게이트(Gate) 및 TTL, CMOS I/F 실험에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험에서는 전압 레벨 측정, OR + Inverter 진리표 작성, AND-OR-NOT 게이트를 이용한 XOR 설계, CMOS와 TTL 인터페이스 등을 다루었으며, 이론값과 실험 결과를 비교 분석하였습니다. 오차 분석에서는 전류 측정의 어려움, 점퍼선의 저항, 브래드 보드의 불확실성 등이 원인으로 지적되었습니다. 1. 디지털 회로 실험 및 설계 디지털 ...2025.05.16
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Semiconductor Device and Design -52025.05.101. Characteristic of transistor 트랜지스터의 특성에 대해 설명합니다. 입력 특성은 출력 전압을 일정하게 유지하면서 입력 전압 변화에 따른 입력 전류의 변화를 나타냅니다. 출력 특성은 일정한 입력 전류에서 출력 전압에 따른 출력 전류의 변화를 나타냅니다. 전류 전달 특성은 출력 전압을 일정하게 유지하면서 입력 전류 변화에 따른 출력 전류의 변화를 나타냅니다. 2. Manufacture of diodes in semiconductor integrated circuits 반도체 집적 회로에서 다이오드 제조 공정에...2025.05.10
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디지털 VLSI 설계: Dynamic CMOS 회로 설계 및 시뮬레이션2025.11.161. Dynamic CMOS 회로 설계 Dynamic CMOS는 PMOS 풀-업 네트워크와 NMOS 풀-다운 네트워크로 구성된 논리 회로이다. 클록 신호가 0일 때 PMOS가 활성화되어 출력이 1로 충전되고, 클록 신호가 1일 때 NMOS 풀-다운 네트워크가 활성화되어 입력 신호에 따라 출력이 결정된다. Dynamic CMOS는 정적 CMOS와 달리 클록 신호에 의존하므로 타이밍 특성이 중요하며, 직렬 연결 시 특별한 주의가 필요하다. 2. HSPICE 시뮬레이션 및 검증 HSPICE를 이용하여 Dynamic CMOS 회로의 동작을...2025.11.16
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전자재료물성 실험 및 설계 2 - BJT 및 MOSFET 특성2025.11.181. BJT(양극성 접합 트랜지스터)의 전기적 특성 BJT는 전류 제어용 소자로 PNP, NPN 구조로 나뉜다. 세 개의 전극(이미터, 베이스, 컬렉터)으로 구성되며, 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다. BJT는 차단영역, 활성영역, 포화영역, 역활성영역의 네 가지 동작영역을 가지며, 활성영역에서 증폭 기능을 수행한다. 온도 증가에 따라 캐리어 수가 증가하여 전기전도도가 증가하고 문턱전압이 낮아진다. 2. BJT 증폭기 회로의 종류 및 특성 BJT 증폭기는 접지 위치에 따라 공통 이미터(CE), 공통 베이스(CB), 공통 ...2025.11.18
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